封装基板、封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种封装基板，包括内层线路、第一及第二增厚导线、第一及第二介电层、第一及第二外层线路。内层线路包括接地线及位于其间的信号线。第一及第二增厚导线对应设于接地线的相背两侧。第一介电层覆盖第一增层导线及内层线路。第一外层线路位于第一介电层上。第一外层线路包括通过第一介电层内的第一导电沟槽与第一增厚导线连接的第一电磁屏蔽区。第二介电层覆盖第二增厚导线、内层线路及第一介电层。第二外层线路位于第二介电层上。第二外层线路包括通过第二介电层内的第二导电沟槽与第二增厚导线连接的第二电磁屏蔽区。第一及第二电磁屏蔽区、第一及第二导电沟槽、第一及第二增厚导线及接地线围成围绕信号线的闭合的屏蔽空间。

Packaging substrate, packaging structure and manufacturing method thereof

The invention relates to an encapsulation substrate, which comprises an inner layer circuit, a first and two thickening conductors, a first and two dielectric layers, and the first and two outer lines. The inner line includes the ground wire and the signal line between them. The first and two thickening conductors correspond to both sides of the ground wire. The first dielectric layer covers the first additional layer conductor and the inner layer line. The first outer line is located on the first dielectric layer. The first outer line comprises a first electromagnetic shielding zone connected with the first thickening conductor through the first conductive groove in the first dielectric layer. The second dielectric layer covers second thickening conductors, an inner layer line and a first dielectric layer. Second the outer line is located on the second dielectric layer. The second outer line comprises second electromagnetic shielding areas connected with second thickening conductors through second conductive grooves in the second dielectric layer. The first and two electromagnetic shielding areas, the first and two conductive grooves, the first and two thickening conductors and the ground wire are enclosed into a closed shielding space around the signal line.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装基板、封装基板制作方法、封装结构及封装结构制作方法。
技术介绍
随着电子通讯产品向着高频、高速及薄型化方向发展，业内对信号传输损耗的控制要求越来越高。目前，通常采用在信号线上下两侧设置电磁屏蔽层，在信号线的两侧形成接地线，及在上下两侧的介电层中设置导电沟槽将上下两侧的电磁屏蔽层电导通以此来实现屏蔽可能的电磁干扰。然而，由于导电沟槽直接设置在接地线上，该导电沟槽一般较深，在电镀填充形成该导电沟槽时，易产生气泡或裂纹。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能够解决上述技术问题的、封装结构、封装基板制作方法及封装结构制作方法。一种封装基板制作方法，包括步骤：将内层线路形成在一承载金属层上，并在所述内层线路上形成第一增厚导线，所述内层线路包括接地线及位于所述接地线之间的信号线，所述第一增厚导线对应形成在所述接地线上；形成第一外层基板，所述第一外层基板覆盖所述内层线路及第一增厚导线及自所述内层线路及第一增厚导线之间露出的承载金属层，所述第一外层基板包括背离所述内层线路的第一外层铜箔；将所述承载金属层制作形成第二增厚导线，所述第二增厚导线对应形成在所述接地线上，且与所述第一增厚导线相背；形成第二外层基板，所述第二外层基板覆盖所述第二增厚导线、自所述第二增厚导线露出的内层线路及第一外层基板，所述第二外层基板包括背离所述内层线路的第二外层铜箔；及在所述第一及第二外层基板内分别形成第一及第二导电沟槽，并分别将所述第一外层铜箔及第二外层铜箔制成第一外层线路及第二外层线路，所述第一导电沟槽与所述第一增厚导线一一对应连接，所述第二导电沟槽与所述第二增厚导线一一对应连接，所述第一外层线路包括与所述第一导电沟槽连接的第一电磁屏蔽区，所述第二外层线路包括与所述第二导电沟槽连接的第二电磁屏蔽区，所述第一电磁屏蔽区、所述第一导电沟槽、所述第一增厚导线、所述接地线、所述第二增厚导线、所述第二导电沟槽、所述第二电磁屏蔽区围成闭合的屏蔽空间，所述信号线位于所述屏蔽空间内。一种封装结构制作方法，包括步骤：将内层线路形成在一承载金属层上，并在所述内层线路上形成第一增厚导线，所述内层线路包括接地线及位于所述接地线之间的信号线，所述第一增厚导线对应形成在所述接地线上；形成第一外层基板，所述第一外层基板覆盖所述内层线路及第一增厚导线及自所述内层线路及第一增厚导线之间露出的承载金属层，所述第一外层基板包括背离所述内层线路的第一外层铜箔；将所述承载金属层制作形成第二增厚导线，所述第二增厚导线对应形成在所述接地线上，且与所述第一增厚导线相背；形成第二外层基板，所述第二外层基板覆盖所述第二增厚导线、自所述第二增厚导线露出的内层线路及第一外层基板，所述第二外层基板包括背离所述内层线路的第二外层铜箔；及在所述第一及第二外层基板内分别形成第一及第二导电沟槽，并分别将所述第一外层铜箔及第二外层铜箔制成第一外层线路及第二外层线路，所述第一导电沟槽与所述第一增厚导线一一对应连接，所述第二导电沟槽与所述第二增厚导线一一对应连接，所述第一外层线路包括与所述第一导电沟槽连接的第一电磁屏蔽区，所述第二外层线路包括与所述第二导电沟槽连接的第二电磁屏蔽区，所述第一电磁屏蔽区、所述第一导电沟槽、所述第一增厚导线、所述接地线、所述第二增厚导线、所述第二导电沟槽、所述第二电磁屏蔽区围成闭合的屏蔽空间，所述信号线位于所述屏蔽空间内，得到封装基板；及在所述封装基板上安装芯片。一种封装基板，包括内层线路、第一增厚导线、第一介电层、第一外层线路、第二增厚导线、第二增厚导线、第二介电层及第二外层线路，所述内层线路包括接地线及位于接地线之间的信号线，所述第一增厚导线一一对应地设置在所述接地线上，所述第一介电层覆盖所述第一增层导线及所述内层线路，所述第一介电层内设置有与所述第一增厚导线一一对应的第一导电沟槽，所述第一外层线路形成在所述第一介电层上，所述第一外层线路包括第一电磁屏蔽区，所述第一电磁屏蔽区通过所述第一导电沟槽与所述第一增厚导线连接，所述第二增厚导线一一对应地设置在所述接地线上，且与所述第一增厚导线相背，所述第二介电层覆盖所述第二增厚导线及部分所述内层线路及所述第一介电层，所述第二介电层内设置由于所述第二增厚导线一一对应的第二导电沟槽，所述第二外层线路形成在所述第二介电层上，所述第二外层线路包括第二电磁屏蔽区，所述第二电磁屏蔽区通过所述第二导电沟槽与所述第二增厚导线连接，所述第一及第二电磁屏蔽区、第一及第二导电沟槽、第一及第二增厚导线及所述接地线围成闭合的屏蔽空间，所述信号线位于所述屏蔽空间内。一种封装结构，包括上述封装基板及芯片，所述芯片安装在所述封装基板上。相较于现有技术，本专利技术提供的封装基板、封装结构、封装基板制作方法及封装结构制作方法，由于在接地线相背两侧设置有第一增厚导线及第二增厚导线，使得所述第一导电沟槽及第二导电沟槽的深度可相对减小，从而在电镀形成所述第一导电沟槽及第二导电沟槽时，可减少气泡与裂纹的产生。附图说明图1为本专利技术具体实施方式提供的承载板的剖面示意图。图2是图1的承载板的承载金属层上形成第一内层电镀阻挡层后的剖面示意图。图3是在自图2的第一内层电镀阻挡层露出的承载金属层上形成抗蚀层后的剖面示意图。图4是在图3的抗蚀层上形成电镀层，得到内层线路后的剖面示意图。图5是在图4的内层线路及第一内层电镀阻挡层上形成第二内层电镀阻挡层后的剖面示意图。图6是在图5的接地线上形成第一增厚导线后的剖面示意图。图7是一并移除图6的第一及第二内层电镀阻挡层后的剖面示意图。图8是在图7的内层线路及所述第一增厚导线形成第一外层基板后的剖面示意图。图9是移除图8的承载板的承载绝缘层，露出承载金属层后的剖面示意图。图10是在图9的承载金属层表面形成第一光致抗蚀层，并在所述第一外层基板的第一外层铜箔表面形成第二光致抗蚀层后的剖面示意图。图11是蚀刻移除图10的部分所述承载金属层，形成第二增厚导线后的剖面示意图。图12是移除图11的第一光致抗蚀层及第二光致抗蚀层后的剖面示意图。图13是在图12的第二增厚导线上形成第二外层基板后的剖面示意图。图14是在图13的第一外层基板内形成第一沟槽及第一盲孔，及在所述第二外层基板内形成第二沟槽及第二盲孔后的剖面示意图。图15是在图14的第一外层铜箔上形成第一外层电镀阻挡层及在第二外层铜箔上形成第二外层电镀阻挡层后的剖面示意图。图16是电镀填充图15的第一沟槽、第一盲孔、第二沟槽及第二盲孔分别形成第一导电沟槽、第一导电孔、第二导电沟槽及第二导电孔，并在自第一外层电镀阻挡层露出的第一外层铜箔表面形成第一外层电镀层及在自第二外层电镀阻挡层露出的第二外层铜箔表面形成第二外层电镀层后的剖面示意图。图17是移除图16的第一外层电镀阻挡层及其所覆盖部分所述第一外层铜箔，第二外层电镀阻挡层及其所覆盖的部分第二外层铜箔得到所述第一外层线路及第二外层线路后的剖面示意图。图18是在图17的第一外层线路表面形成第一防焊层及在第二外层线路表面形成第二防焊层，得到封装基板的剖面示意图。图19是在图18的封装基板上安装芯片，得到的封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明承载板10承载金属层11承载绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板制作方法，包括步骤：将内层线路形成在一承载金属层上，并在所述内层线路上形成第一增厚导线，所述内层线路包括接地线及位于所述接地线之间的信号线，所述第一增厚导线对应形成在所述接地线上；形成第一外层基板，所述第一外层基板覆盖所述内层线路及第一增厚导线及自所述内层线路及第一增厚导线之间露出的承载金属层，所述第一外层基板包括背离所述内层线路的第一外层铜箔；将所述承载金属层制作形成第二增厚导线，所述第二增厚导线对应形成在所述接地线上，且与所述第一增厚导线相背；形成第二外层基板，所述第二外层基板覆盖所述第二增厚导线、自所述第二增厚导线露出的内层线路及第一外层基板，所述第二外层基板包括背离所述内层线路的第二外层铜箔；及在所述第一及第二外层基板内分别形成第一及第二导电沟槽，并分别将所述第一外层铜箔及第二外层铜箔制成第一外层线路及第二外层线路，所述第一导电沟槽与所述第一增厚导线一一对应连接，所述第二导电沟槽与所述第二增厚导线一一对应连接，所述第一外层线路包括与所述第一导电沟槽连接的第一电磁屏蔽区，所述第二外层线路包括与所述第二导电沟槽连接的第二电磁屏蔽区，所述第一电磁屏蔽区、所述第一导电沟槽、所述第一增厚导线、所述接地线、所述第二增厚导线、所述第二导电沟槽、所述第二电磁屏蔽区围成闭合的屏蔽空间，所述信号线位于所述屏蔽空间内。...

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制作方法，包括步骤：将内层线路形成在一承载金属层上，并在所述内层线路上形成第一增厚导线，所述内层线路包括接地线及位于所述接地线之间的信号线，所述第一增厚导线对应形成在所述接地线上；形成第一外层基板，所述第一外层基板覆盖所述内层线路及第一增厚导线及自所述内层线路及第一增厚导线之间露出的承载金属层，所述第一外层基板包括背离所述内层线路的第一外层铜箔；将所述承载金属层制作形成第二增厚导线，所述第二增厚导线对应形成在所述接地线上，且与所述第一增厚导线相背；形成第二外层基板，所述第二外层基板覆盖所述第二增厚导线、自所述第二增厚导线露出的内层线路及第一外层基板，所述第二外层基板包括背离所述内层线路的第二外层铜箔；及在所述第一及第二外层基板内分别形成第一及第二导电沟槽，并分别将所述第一外层铜箔及第二外层铜箔制成第一外层线路及第二外层线路，所述第一导电沟槽与所述第一增厚导线一一对应连接，所述第二导电沟槽与所述第二增厚导线一一对应连接，所述第一外层线路包括与所述第一导电沟槽连接的第一电磁屏蔽区，所述第二外层线路包括与所述第二导电沟槽连接的第二电磁屏蔽区，所述第一电磁屏蔽区、所述第一导电沟槽、所述第一增厚导线、所述接地线、所述第二增厚导线、所述第二导电沟槽、所述第二电磁屏蔽区围成闭合的屏蔽空间，所述信号线位于所述屏蔽空间内。2.如权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述封装基板制作方法还包括在所述第一外层线路上形成第一防焊层及在所述第二外层线路上形成第二防焊层。3.如权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，将内层线路形成在一承载金属层上，并在所述内层线路上形成第一增厚导线的步骤包括子步骤：首先，提供一个承载板，包括层叠的承载绝缘层及所述承载金属层；接着，在所述承载金属层上形成图案化的第一内层电镀阻挡层，部分所述承载金属层自所述第一内层电镀阻挡层露出；接着，在自所述第一内层电镀阻挡层露出的部分所述承载金属层上电镀填充形成所述内层线路；接着，在所述内层线路及所述第一内层电镀阻挡层上形成图案化结构的第二内层电镀阻挡层，所述接地线自所述第二内层电镀阻挡层露出；接着，在自所述第二内层电镀阻挡层露出的所述接地线上电镀填充形成所述第一增厚导线；最后，一并移除所述第一内层电镀阻挡层及第二内层电镀阻挡层。4.如权利要求3所述的封装基板制作方法，其特征在于，在自所述第一内层电镀阻挡层露出的部分所述承载金属层上电镀填充形成所述内层线路的步骤包括子步骤：首先，在所述承载金属层上形成抗蚀层；接着，在所述抗蚀层上电镀形成电镀层，从而得到所述内层线路。5.如权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，在所述第一及第二外层基板内分别形成第一及第二导电沟槽，并分别将所述第一及第二外层铜箔制...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘艳兰，
申请(专利权)人：碁鼎科技秦皇岛有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13