高透光率的LED封装结构制造技术

高透光率的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基座及设置于该基座上的正电极引脚与负电极引脚，该基座包括发光面，与该发光面相对的底面，连接发光面该底面的两个相互平行的第一侧面，以及与第一侧面正交的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面上分别具有与正电极引脚、负电极引脚相连接的第一焊接部与第二焊接部，所述底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面，双曲面叫焦点位于发光面。

【技术实现步骤摘要】
高透光率的LED封装结构
本专利技术涉及高透光率的LED封装结构。
技术介绍
现有的常见的LED封装结构为将LED芯片固定在一个平面的基板上，然后在基板的一个平面上利用封装层将该LED芯片封装在该基板上，由于此种结构得到的LED至少有一个主要面发光为不透光的基板所阻碍，造成透光率低。因此提供一种高透光率的LED封装结构成为现有技术中亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决前述技术问题，本专利技术采用了以下技术方案：提供了高透光率的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基座及设置于该基座上的正电极引脚与负电极引脚，该基座包括发光面，与该发光面相对的底面，连接发光面该底面的两个相互平行的第一侧面，以及与第一侧面正交的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面上分别具有与正电极引脚、负电极引脚相连接的第一焊接部与第二焊接部，所述底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面，双曲面叫焦点位于发光面。所述的高透光率的LED封装结构，其特征是所述发光面内封装LED光源，所述LED光源P电极和N电极的末端均外露于所述发光面之外。所述的高透光率的LED封装结构，其特征是所述P电极和N电极的末端分别与正、负电极引脚相连接。所述高透光率的LED封装结构，其特征是按照以下步骤进行封装(1)点胶：将UV光固化胶填充在LED基座的相应位置点上；(2)刺片：将LED芯片在刺片台上固定，LED基座架放在刺片台下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置点上；(3)UV光固化：将刺片好的LED基座放置在UV光源下进行固化5-8分钟；(4)压焊：将金属导线的两端分别焊接于第一焊接部与第二焊接部，使LED芯片与基座电性导通；(5)封装：在LED成型模腔内注入光固化LED密封胶，UV固化，将LED从模腔中脱出即成型。本专利技术提供的高透光率的LED封装结构，与现有技术相比，通过改进LED封装结构，使底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面均是双曲面，能提高发光面的总体透光率，克服了采用不透光基板时整体透光率低，造成发光效率低缺陷，解决了现有技术中存在的问题。具体实施方式本专利技术提供的高透光率的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基座及设置于该基座上的正电极引脚与负电极引脚，该基座包括发光面，与该发光面相对的底面，连接发光面该底面的两个相互平行的第一侧面，以及与第一侧面正交的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面上分别具有与正电极引脚、负电极引脚相连接的第一焊接部与第二焊接部，所述底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面，双曲面叫焦点位于发光面。所述的高透光率的LED封装结构，其特征是所述发光面内封装LED光源，所述LED光源P电极和N电极的末端均外露于所述发光面之外。所述的高透光率的LED封装结构，其特征是所述P电极和N电极的末端分别与正、负电极引脚相连接。所述高透光率的LED封装结构，其特征是按照以下步骤进行封装(1)点胶：将UV光固化胶填充在LED基座的相应位置点上；(2)刺片：将LED芯片在刺片台上固定，LED基座架放在刺片台下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置点上；(3)UV光固化：将刺片好的LED基座放置在UV光源下进行固化5-8分钟；(4)压焊：将金属导线的两端分别焊接于第一焊接部与第二焊接部，使LED芯片与基座电性导通；(5)封装：在LED成型模腔内注入光固化LED密封胶，UV固化，将LED从模腔中脱出即成型。。光照强度测试将按照本专利技术具体实施方式中制得的LED取400只，随机分为4组，每组100只，分别进行光照强度测试并计算总体透光率，其光照强度偏差结果如下表实施例号1234偏差％1.62.12.01.8总体透光率75708070寿命测试将实施例1～4制得的LED各取100只分别进行额定电压下的寿命测试，偏差结果如下表实施例号1234寿命/h62781612976207983594实验结果表明，采用本专利技术的高透光率的LED封装结构封装的LED，其光照强度偏差≤5％，寿命偏差≤2％，具有良好的产品一致性和通用性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
高透光率的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基座及设置于该基座上的正电极引脚与负电极引脚，该基座包括发光面，与该发光面相对的底面，连接发光面该底面的两个相互平行的第一侧面，以及与第一侧面正交的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面上分别具有与正电极引脚、负电极引脚相连接的第一焊接部与第二焊接部，所述底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面，双曲面叫焦点位于发光面。

【技术特征摘要】
1.高透光率的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基座及设置于该基座上的正电极引脚与负电极引脚，该基座包括发光面，与该发光面相对的底面，连接发光面该底面的两个相互平行的第一侧面，以及与第一侧面正交的第二侧面，所述第一侧面和第二侧面上分别具有与正电极引脚、负电极引脚相连接的第一焊接部与第二焊接部，所述底面、第一侧面与第二侧面均为双曲面，双曲面叫焦点位于发光面。2.如权利要求1所述的高透光率的LED封装结构，其特征是所述发光面内封装LED光源，所述LED光源P电极和N电极的末端均外露于所述发光面之外。3.如权利要求1所述的高透光率的LED封装结构，其特征是...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞绮琪，
申请(专利权)人：庞绮琪，
类型：发明
国别省市：广东,44