半导体发光器件封装件制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括衬底、位于衬底上的半导体发光器件以及覆盖半导体发光器件的密封层。密封层包括：多个环形部分，在平面图中从衬底的边缘向衬底的中心顺序地布置所述多个环形部分；以及中心部分，所述多个环形部分中的最里面的一个环形部分环绕所述中心部分。

Semiconductor light emitting device package

The present invention provides a semiconductor light emitting device package. The semiconductor light emitting device package includes a substrate, a semiconductor light emitting device located on the substrate, and a sealing layer covering the semiconductor light emitting device. The sealing layer comprises a plurality of annular part in the plan from the edge to the center of the substrate sequentially arranged substrate of the plurality of annular portion; and a central part of an annular part inside the plurality of annular portion in the surrounding the central part.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月12日提交的韩国专利申请No.10-2016-0016472的优先权，该申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。
符合本专利技术构思示例性实施例的设备和方法涉及一种半导体发光器件封装件，更具体地，涉及一种板上芯片(COB)型半导体发光器件封装件。
技术介绍
诸如发光二极管的半导体发光器件是其中包含发光材料以发射光的器件。半导体发光器件将由于电子与空穴的复合而产生的能量以要从半导体发光器件发射的光的形式释放出来。这种发光二极管(LED)目前广泛用作照明元件、显示装置和光源，并且其发展得以加速。特别地，近来在基于镓的氮化物的LED的发展和应用上的增长以及使用基于镓的氮化物的LED的移动装置键区、转向信号灯和相机闪光灯等的商业化已经导致使用LED的通用照明装置加速发展。随着LED的应用从小型便携产品扩展到具有高输出和高效率的大尺寸产品(例如大型TV的背光单元、车辆的头灯和通用照明装置等)，需要具有适于上述这些应用的特点的光源。随着半导体发光器件的范围扩大，需要对半导体发光器件封装件的光提取效率和可靠性的改善进行研究。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了一种具有提高的光提取效率的半导体发光器件封装件。根据示例性实施例，提供了一种半导体发光器件封装件，其可包括：衬底；衬底上的半导体发光器件；以及覆盖半导体发光器件的密封层。密封层可包括：多个环形部分，在平面图中从衬底的边缘向衬底的中心顺序地布置所述多个环形部分；以及中心部分，所述多个环形部分中的最里面的一个环形部分环绕所述中心部分。根据示例性实施例，提供了一种半导体发光器件封装件，其可包括：衬底；衬底上的半导体发光器件；以及覆盖半导体发光器件的密封层。密封层可包括在远离衬底的方向上凸出地突起的凸部。凸部可包括在平面图中构成同心圆的顶点。根据示例性实施例，提供了一种半导体发光器件封装件，其可包括：衬底；衬底上的多个半导体发光器件；以及覆盖半导体发光器件的密封层。密封层可包括第一层和设置在第一层上方的第二层。第一层的顶表面可为实质上平坦的，而第二层的顶表面可包括多个凸出顶表面部。附图说明为了提供对示例性实施例的进一步理解而包括附图，其合并在此并且构成本说明书的一部分。附图示出了示例性实施例，并且与本说明一起用于解释本专利技术构思的原理。在附图中：图1是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的平面图；图2A和图2B是根据示例性实施例的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图；图3A和图4A是示出根据示例性实施例的制造半导体发光器件封装件的方法的沿图1的线A-A'截取的截面图；图3B和图4B是根据示例性实施例的沿图1的线B-B'截取的截面图；图5A和图5B是示出根据示例性实施例的制造半导体发光器件封装件的方法的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图；图6A和图6B是示出根据示例性实施例的制造半导体发光器件封装件的方法的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图；图7A和图7B是示出根据示例性实施例的制造半导体发光器件封装件的方法的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图；以及图8A和图8B是示出根据示例性实施例的制造半导体发光器件封装件的方法的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图。具体实施方式下面，将结合附图描述本专利技术构思的示例性实施例。图1是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的平面图。图2A和图2B是根据示例性实施例的分别沿图1的线A-A'和线B-B'截取的截面图。参照图1、图2A和图2B，半导体发光器件封装件可为板上芯片(COB)型封装件，其包括衬底100和设置在衬底100上的一个或多个半导体发光器件140。例如，衬底100可为诸如铝的金属衬底、诸如氮化铝的基于氮化物的衬底或者诸如氧化铝的基于氧化物的衬底。反射层110可设置在衬底100与半导体发光器件140之间。半导体发光器件140可发射光，并且反射层110可在远离衬底100的方向(下文中称作第三方向D3)上反射光的一部分。反射层110可包括其反射率大于衬底100的反射率的金属(例如银)。金属堆叠图案122可设置在衬底100上并且限定在其上设置半导体发光器件140的发光区。例如，金属堆叠图案122可包括覆铜层压板(CCL)。金属堆叠图案122可包括暴露出反射层110的顶表面的开口127，并且开口127的内部可为发光区。金属堆叠图案122可包括聚合物层和位于聚合物层上的电极。电极可包括阴极170和阳极175。可通过第一粘合图案121将金属堆叠图案122粘合至反射层110。例如，第一粘合图案121可为导热粘合薄膜。遮蔽图案130可设置在金属堆叠图案122上。例如，遮蔽图案130可包括光致抗蚀剂(PSR)。遮蔽图案130可暴露出阴极170和阳极175中的每一个的一部分。例如，遮蔽图案130可暴露出阴极170的第一延伸部171和第一焊盘172并且暴露出阳极175的第二延伸部176和第二焊盘177。第一焊盘172和第二焊盘177可为向其施加外部功率的端子。半导体发光器件140可设置为多个。多个半导体发光器件140可以成行成列的方式布置在开口127中。半导体发光器件140可在第一延伸部171与第二延伸部176之间串联连接。例如，可提供多条布线185来将半导体发光器件140彼此连接，并且将半导体发光器件140连接至第一延伸部171和第二延伸部176。例如，布线185可包括金。布线185可将布置在第二方向D2上的半导体发光器件140彼此连接。例如，半导体发光器件140可包括LED芯片。可通过第二粘合图案141将半导体发光器件140中的每一个粘合至反射层110。第二粘合图案141可为导热粘合薄膜。可将坝结构160设置为在金属堆叠图案122上具有环形。金属堆叠图案122可包括限定开口127的内侧壁，并且坝结构160可沿着金属堆叠图案122的内侧壁延伸。在本文描述中，环形可包括椭圆环形。坝结构160可覆盖遮蔽图案130的一部分、阴极170的一部分和阳极175的一部分。例如，坝结构160可具有这样的下部，其一部分与遮蔽图案130接触，并且其另一部分与金属堆叠图案122接触。坝结构160可与开口127一起限定发光区。例如，坝结构160可包括具有高触变性(thixotropy)的硅树脂。在本文描述中，术语触变性可表示时间相关的黏度。坝结构160可为基本上透明的。在本文描述中，短语“基本上透明”可以指可见光透射率大于90％。因此，可防止或避免坝结构160(尤其在其下部)中的陷光(lighttrap)或从半导体发光器件140发射的光的行进路径中的挡光。作为结果，可增加从半导体发光器件封装件发射的光IL的波束角(即，图2B的e1与e2之间的角度)。对于设计包括有根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的照明应用来说也会是有利的。坝结构160可覆盖连接至第一延伸部171和第二延伸部176的布线185的部分。可设置密封层150以覆盖半导体发光器件140。密封层150可填充通过开口127和坝结构160限定的发光区。密封层150可与半导体发光器件140的顶表面和侧壁接触。密封层150可覆盖布线185。例如，密封层150可包括荧光物质在其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件封装件，包括：衬底；衬底上的半导体发光器件；以及覆盖半导体发光器件的密封层，其中，密封层包括：多个环形部分，在平面图中从衬底的边缘向衬底的中心顺序地布置所述多个环形部分，以及中心部分，所述多个环形部分中的最里面的一个环形部分环绕所述中心部分。

【技术特征摘要】
2016.02.12 KR 10-2016-00164721.一种半导体发光器件封装件，包括：衬底；衬底上的半导体发光器件；以及覆盖半导体发光器件的密封层，其中，密封层包括：多个环形部分，在平面图中从衬底的边缘向衬底的中心顺序地布置所述多个环形部分，以及中心部分，所述多个环形部分中的最里面的一个环形部分环绕所述中心部分。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述中心部分和所述多个环形部分中的每一个具有在远离衬底的方向上凸出地突起的上凸部。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，所述中心部分距衬底的顶表面的高度大于所述多个环形部分的每一个距衬底的顶表面的高度。4.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，所述中心部分的直径大于所述多个环形部分的每一个的宽度。5.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，所述中心部分距衬底的顶表面的高度与所述多个环形部分的每一个距衬底的顶表面的高度实质上相同。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，密封层包括荧光物质。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，密封层包括：与半导体发光器件接触的第一层；以及与半导体发光器件间隔开的第二层，所述第一层介于所述第二层与半导体发光器件之间，并且所述第二层包括其触变性大于构成所述第一层的材料的触变性的材料，其中，所述第一层和所述第二层中的至少一个包括荧光物质。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，还包括坝结构，其沿着所述多个环形部分中的最外面的一个环形部分的外侧壁延伸。9.根据权利要求8所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构实质上透明。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，还包括金属堆叠图案，其设置在衬底上并且限定在其上设置有密封层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许万优，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR