To improve the LED package structure of anti surge current capability, which is characterized in that the package structure of the LED LED chip, including the encapsulation substrate are arranged on the bottom surface of the electrode and the LED chip is packaged in a top surface and a side surface, the bottom surface of the packaging colloid and / or is arranged on the side surface of the reflecting surface of the package body the dielectric material, the dielectric material of the relative dielectric constant of the range of 50 ~ 200.
【技术实现步骤摘要】
提高抗浪涌电流能力的LED封装结构
本专利技术涉及LED封装结构。
技术介绍
LED的封装技术就是对LED芯片进行封装，制成可直接使用的光源。目前常见的LED封装结构为将LED芯片固定在一个平面的基板上，然后在基板的一个平面上利用封装层将该LED芯片封装在该基板上。虽然采用此种封装结构能够基本满足使用需求，但在电网供电不稳定的适用场合，比如广大农村地区，由于电网中存在着较为普遍的浪涌电流，普通的LED封装结构在此使用条件下寿命会明显下降，因此提供一种提高抗浪涌电流能力的LED封装结构成为现有技术中亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决前述技术问题，本专利技术采用了以下技术方案：提供了提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面。所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是介电材料的相对介电常数范围优选80～150。所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述的封装胶体中掺杂由纳米银粒子，所述LED芯片的电极端部形成凸块结构。所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述凸块与封装胶体内部的沟槽相匹配。本专利技术提供的提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，与现有技术相比，通过改进LED封装结构，优化封装胶体的材料选择与结构设计，提高了LED的抗浪涌电流能力，解决了现有技术中存在的问题。具体实...
【技术保护点】
提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面，所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。
【技术特征摘要】
1.提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面，所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。2.如权利要求1所述的所述提高抗浪涌电流能力的LE...
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