Long life LED chip, which is characterized in that the LED chip, including the bottom electrode of the LED tube core and covered on the top and side surfaces of the LED chip encapsulation layer, the encapsulation of the bottom and side with heat reflective surface, the 2 layer is a transparent packaging colloid gelatin dielectric material production. The chip comprises a package colloid layer and a LED tube core wrapped in the encapsulation colloid, and the LED tube core is electrically connected with the circuit board. The encapsulation layer is made of transparent epoxy resin or polycarbonate production, the encapsulation layer covering multiple LED die forming package, a package by package colloid as a single bond in the formation of LED chip package.
【技术实现步骤摘要】
长寿命LED芯片
本专利技术涉及LED封装结构。
技术介绍
LED管芯芯片为采用封装技术将发光二极管封装得到的一种能够将电能直接转化为光能的照明元件,虽然现有的LED芯片的寿命较高,但为了满足某些特殊使用场合,如需要长时间使用且难于更换的使用场合,需要具有更长寿命的低功耗照明元件,因此提供一种长寿命LED芯片成为现有技术中亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决前述技术问题,本专利技术采用了以下技术方案:提供了长寿命LED芯片,其特征是所述LED芯片,包括底面设有电极的LED管芯及覆盖于LED芯片顶面和侧面的封装胶体层,所述封装胶体的底部和侧面具有散热反射面。所述封装胶体层为介电材料制作的透明胶体。所述的长寿命LED芯片,其特征是所述芯片包括封装胶体层、包覆于封装胶体内部的LED管芯管芯,所述LED管芯与电路板电连接。所述封装胶体层采用为透明环氧树脂或聚碳酸酯制作。所述封装胶体层包覆多个LED管芯管芯形成封装体,多个封装体通过封装胶体粘结形成作为LED芯片的单一封装组件。所述每个LED管芯管芯包括一个P电极和一个N管芯电极。所述P电极及N相对于LED管芯的出光面设置且均裸露于封装胶体层之外。P电极和N电极均电连接至电路板。本专利技术提供的长寿命LED芯片,与现有技术相比,通过改进LED封装结构,提高了LED的使用寿命,解决了现有技术中存在的问题。具体实施方式本专利技术提供的长寿命LED芯片,所述长寿命LED芯片,其特征是所述LED芯片,包括底面设有电极的LED管芯及覆盖于LED芯片顶面和侧面的封装胶体层,所述封装胶体的底部和侧面具有散热反射面。所述封装胶体层为介 ...
【技术保护点】
长寿命LED芯片,其特征是所述LED芯片,包括底面设有电极的LED管芯及覆盖于LED芯片顶面和侧面的封装胶体层,所述封装胶体的底部和侧面具有散热反射面,2所述封装胶体层为介电材料制作的透明胶体。
【技术特征摘要】
1.长寿命LED芯片,其特征是所述LED芯片,包括底面设有电极的LED管芯及覆盖于LED芯片顶面和侧面的封装胶体层,所述封装胶体的底部和侧面具有散热反射面,2所述封装胶体层为介电材料制作的透明胶体。2.如权利要求1所述长寿命LED芯片,其特征是所述芯片包括封装胶体层、包覆于封装胶体内部的LED管芯管芯,所述LED管芯与电路板电连接。3.如权利要求1所述长寿命LED芯片...
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