LED chip with high light transmittance, which is characterized in that the LED chip has a solid crystal region, the solid crystal region consists of cold white and warm white region area, the substrate of LED chip as a ceramic substrate, having an annular side wall of the base plate, the annular side wall surface has a phosphor layer. The annular side wall filled with plastic package.
【技术实现步骤摘要】
具有高透光率的LED芯片
本专利技术涉及LED芯片。
技术介绍
LED即发光二极管，由于其可以直接将电能转化为光能，因此在各种领域得到广泛的应用，应用LED照明时需要将其封装为LED芯片，传统的芯片封装方式由于透光率低，影响了照明效果，因此提供一种具有高透光率的LED芯片成为现有技术中亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决前述技术问题，本专利技术采用了以下技术方案：提供了具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述LED芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材质选自氧化铝、氮化铝、氧化锆以及氟化钙。所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片包括依序堆叠的N型半导体层、半导体发光层、P型半导体层。所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述N型半导体层为N型GaN(氮化镓)层，所述半导体发光层包含氮化镓或氮化铟镓，所述P型半导体层为P型GaN层，所述的P型GaN层及N型GaN层分别电连接连接至外部电源所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述的所述封装胶包覆环形侧壁和荧光层，所述封装胶由包括硅胶和/或环氧树脂的材料构成。所述的所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是位于所述LED芯片在于环形侧壁的固晶区域内交错排列。本专利技术提供的具有高透光率的LED芯片，与现有技术相比，通过改进LED封装结构，优化封装胶体的材料选择与结构设计，提高了LED芯片的透光率，解决了现有技...
【技术保护点】
具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述LED芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。
【技术特征摘要】
1.具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片具有固晶区域，所述固晶区域由冷白区域以及暖白区域组成，所述LED芯片的基板为陶瓷基板，所述基板上具有环形侧壁，所述环形侧壁表面具有荧光层，所述环形侧壁中填充封装胶。2.如权利要求1所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述陶瓷基板的的陶瓷材质选自氧化铝、氮化铝、氧化锆以及氟化钙。3.如权利要求1所述所述的具有高透光率的LED芯片，其特征是所述LED芯片包括依序堆叠的N型半导体层、半导体发光层、P型半导体层。4.如权利要求...
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