The invention discloses a pre packaged structure, a semiconductor light emitting device includes: a semiconductor light emitting device, and, combined with the direct pressure sensitive fluorescent film surface on the semiconductor light emitting device, the pressure sensitive fluorescent film comprises a matrix formed by pre curing silicone compositions, the matrix dispersed fluorescence particulate matter. The invention also discloses a semiconductor light emitting device, which comprises a semiconductor light emitting device and a fully solidified body of a pressure-sensitive fluorescent film which is directly combined with the light emitting surface of the semiconductor light-emitting device. The scheme adopts the application, packaging technology, can greatly simplify the semiconductor light emitting device to reduce the cost, and protect and improve the comprehensive performance of semiconductor light emitting devices, such as light-emitting properties, including light uniformity, light efficiency, and effectively improve the stability of the corresponding light emitting device, prolong its service life.
【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
本申请涉及一种可应用于半导体器件封装领域的封装材料,特别是一种半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置,其可在封装晶圆级WLPLED、封装芯片尺寸CSPLED、量子点LED(QDLED)、激光LED、LED灯丝灯等半导体器件中应用。
技术介绍
LED(半导体发光二极管)因具有低能耗、长寿命、小体积等优点,而被广泛应用于照明、背光等领域。而封装工序是LED制程中的一个非常重要的工序,其对于LED的工作性能、成本等有着非常显著的影响。现有的LED封装工艺主要有器件级封装技术、晶圆级LED封装(WLP)技术、芯片尺寸级封装CSP(ChipScalePackage)技术等,这些技术各有优势,但同时还均存在一些缺陷。有鉴于此,研究人员还一致致力于对LED封装技术进行改进。US7294861B、US2014091346A1等提出了利用一种荧光胶带或荧光粘接片进行LED封装的技术。其中,US7294861B的荧光胶带具备荧光层和层叠在其背面的由(甲基)丙烯酸酯系压敏粘接剂形成的丙烯酸系压敏粘接层。US2014091346A1的荧光粘 ...
【技术保护点】
一种半导体发光装置的预封装结构,其特征在于包括:半导体发光器件,以及,直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜,所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体,所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置的预封装结构,其特征在于包括:半导体发光器件,以及,直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜,所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体,所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。2.根据权利要求1所述的预封装结构,其特征在于:所述荧光颗粒物为荧光粉,其粒径为1~50um;和/或,所述荧光颗粒物为荧光量子点,其粒径为1.0~100nm。3.根据权利要求1所述的预封装结构,其特征在于:所述荧光膜的厚度为10μm~10000μm。4.根据权利要求3所述的预封装结构,其特征在于:所述荧光膜的厚度为20~500μm。5.根据权利要求1所述的预封装结构,其特征在于:所述荧光膜的下述剥离强度的百分率为30%以上;所述剥离强度的百分率=[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100所述75℃气氛下的剥离强度:在温度75℃,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度;所述25℃气氛下的剥离强度:在温度25℃,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度。6.一种半导体发光装置,其特征在于包括:半导体发光器件,以及,直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体,所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体,所述基体中均匀分散有荧光颗粒物,且所述完全固化体与所述半导体发光器件结合为一体。7.根据权利要求6所述的半导体发光装置,其特征在于:所述荧光颗粒物为荧光粉,其粒径为1~50um;和/或,所述荧光颗粒物为荧光量子点,其粒径为1.0~100nm。8.根据权利要求6所述的半导体发光装置,其特征在于:所述完全固化体的下述热失重率≤5wt%;所述的热失重率被...
【专利技术属性】
技术研发人员:张汝志,
申请(专利权)人:斯内尔特种材料有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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