本申请公开了一种半导体发光装置的预封装结构，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。本申请还公开了一种半导体发光装置，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体。采用本申请的前述方案，可以大幅简化半导体发光器件的封装工艺，降低成本，并保障和提升半导体发光器件综合性能，例如其发光性能，包括发光的均匀性、出光效率等，以及有效改善相应发光装置的工作稳定性，延长其使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
本申请涉及一种可应用于半导体器件封装领域的封装材料，特别是一种半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置，其可在封装晶圆级WLPLED、封装芯片尺寸CSPLED、量子点LED(QDLED)、激光LED、LED灯丝灯等半导体器件中应用。
技术介绍
LED(半导体发光二极管)因具有低能耗、长寿命、小体积等优点，而被广泛应用于照明、背光等领域。而封装工序是LED制程中的一个非常重要的工序，其对于LED的工作性能、成本等有着非常显著的影响。现有的LED封装工艺主要有器件级封装技术、晶圆级LED封装(WLP)技术、芯片尺寸级封装CSP(ChipScalePackage)技术等，这些技术各有优势，但同时还均存在一些缺陷。有鉴于此，研究人员还一致致力于对LED封装技术进行改进。US7294861B、US2014091346A1等提出了利用一种荧光胶带或荧光粘接片进行LED封装的技术。其中，US7294861B的荧光胶带具备荧光层和层叠在其背面的由(甲基)丙烯酸酯系压敏粘接剂形成的丙烯酸系压敏粘接层。US2014091346A1的荧光粘接片具备含有荧光体的荧光体层和层叠于荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层，该粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成。该荧光胶带或荧光粘接片系通过粘接剂层压敏粘接于LED表面。此类封装形式虽然在操作便捷性、成本等方面较之传统技术均有改善，但仍存在一些难以克服的缺陷，例如：粘接剂层的存在会导致漏光；粘接层的粘接力难以在高、低温条件下保持稳定，情况严重时在高温下发生剥离现象，因而会有荧光层从LED上脱落之虞；同时，粘接层在高温条件下还极可能会分解、变质、或变黄，从而严重影响LED器件的出光效率；另外粘接层的存在还会对LED工作时产生的热量转移不利。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置，以克服现有技术中的不足。为实现前述专利技术目的，本申请采用的技术方案包括：本申请实施例提供了一种半导体发光装置的预封装结构，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～5000μm。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1～100nm，优选为1～20nm。进一步的，所述荧光膜的厚度为10μm～10000μm。优选的，所述荧光膜的厚度为20～500μm。进一步的，所述荧光膜的下述剥离强度的百分率为30％以上；所述剥离强度的百分率＝[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100所述75℃气氛下的剥离强度：在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度；所述25℃气氛下的剥离强度：在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度。本申请实施例还提供了一种半导体发光装置，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。进一步的，所述的完全固化体与所述半导体发光器件结合为一体，或者可以认为，所述的完全固化体以近乎不可剥离方式的方式牢固结合于所述半导体发光器件的出光面。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50μm。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1～100nm，优选为1～20nm。进一步的，所述半导体发光器件包括LED。采用本申请的前述方案，可以大幅简化半导体发光器件的封装工艺，降低成本，并保障和提升半导体发光器件的发光性能，如发光的均匀性、出光效率，以及有效改善相应发光装置的工作稳定性，延长其使用寿命。以下结合实施例对本申请的技术方案作更为具体的解释说明，但不作为对本申请的限定。附图说明图1是本申请一典型实施例中一种荧光膜封装LED的结构示意图；图2a-图2f是本申请一些实施例中一些半导体发光装置的结构示意图。具体实施方式本申请实施例的一个方面提供了一种荧光膜于封装半导体发光器件中的应用，所述荧光膜主要由可光固化和/或热固化的荧光封装组合物预固化形成，所述荧光封装组合物包括有机硅组合物和均匀分散于所述有机硅组合物内的荧光材料，所述荧光材料包括荧光粉和/或荧光量子点，所述的应用包括：将所述荧光膜直接贴附在半导体发光器件的出光面上并使所述荧光膜完全固化。本申请实施例的另一个方面还提供了一种半导体发光装置的预封装结构，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50μm。进一步的，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1～100nm，优选为1～20nm。进一步的，所述荧光膜的厚度为10μm～10000μm。优选的，所述荧光膜的厚度为20～500μm。进一步的，所述荧光膜的下述剥离强度的百分率为30％以上，优选为90％以上，尤其优选为100％以上；所述剥离强度的百分率＝[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100所述75℃气氛下的剥离强度：在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度；所述25℃气氛下的剥离强度：在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度。本申请实施例的另一个方面还提供了一种发光装置，特别是一种半导体发光装置，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。进一步的，所述的完全固化体与所述半导体发光器件结合为一体，或者可以认为，所述的完全固化体以近乎不可剥离方式的方式牢固结合于所述半导体发光器件的出光面。一种半导体发光装置，其包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜的完全固化体，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。进一步的，所述的完全固化体与所述半导体发光器件结合为一体，或者可以认为，所述的完全固化体以近乎不可剥离方式的方式牢固结合于所述半导体发光器件的出光面。进一步的，所述完全固化体的下述热失重率在5％以下(≤5wt％)；所述的热失重率被定义为：将所述完全固化体在温度150℃放置1000h的失重率。优选的，所述的热失重率在2％以下。进一步的，前述荧光封装组合物可以包含：应用于半导体封装的有机硅组合物；以及，均匀分散于所述有机硅组合物内的荧光材料，所述荧光材料包括荧光粉和/或荧光量子点。进一步的，所述荧光封装组合物通过以下述配混比例配混荧光材料和有机硅组合物并搅拌混合来制备。在一些实施方案中，前述荧光封装组合物中荧光材料占非溶剂组分的含量为0本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体发光装置的预封装结构，其特征在于包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置的预封装结构，其特征在于包括：半导体发光器件，以及，直接结合于所述半导体发光器件的出光面的压敏型荧光膜，所述压敏型荧光膜包括由有机硅组合物预固化形成的基体，所述基体中均匀分散有荧光颗粒物。2.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为1～50um；或，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1.0～100nm。3.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的厚度为10μm～10000μm。4.根据权利要求3所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的厚度为20～500μm。5.根据权利要求1所述的预封装结构，其特征在于：所述荧光膜的下述剥离强度的百分率为30％以上；所述剥离强度的百分率＝[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100所述75℃气氛下的剥离强度：在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜从所述半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度；所述25℃气氛下...
【专利技术属性】
技术研发人员：张汝志，
申请(专利权)人：斯内尔特种材料有限公司，
类型：新型
国别省市：美国,US
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