半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫凸设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫，设于该载板的该表面上，及一导电接合层，该导电接合层包含一电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。

Semiconductor device and method of manufacturing the same

The invention discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device includes a semiconductor die includes a stack structure, a first pad and a second pad arranged on a convex surface of the laminated structure, and the first pad and the shortest distance of the second bonding pad is less than 150 m and a carrier plate having a surface, a third bonding pad and a fourth bonding pad is arranged on the surface of the loading plate, and a conductive bonding layer, the conductive bonding layer comprises a current conduction region, the current conduction zone is arranged on the first, the bonding between the pad and the third pad and the second pad and the fourth pad.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，特别是涉及半导体装置的接合结构及其制造方法。
技术介绍
半导体装置包含由Ⅲ-Ⅴ族元素组成的化合物半导体，例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)，半导体装置可以为发光二极管(LED)、功率装置或太阳能电池。其中，LED的结构包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层，活性层设于p型半导体层与n型半导体层之间，使得在一外加电场作用下，n型半导体层及p型半导体层所分别提供的电子及空穴在该活性层复合，以将电能转换成光能。为了提高LED的电性效能与散热效率，以芯片直接接合载板的倒装式LED应运而生，然而，随着电子产品薄型化，习用手法制备倒装式LED的良率随之下降，倒装式LED的可靠度也受到影响。
技术实现思路
本专利技术关于一种半导体装置，包含一半导体管芯，包含一叠层结构，一第一接合垫及一第二接合垫设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm，一载板，具有一表面，一第三接合垫及一第四接合垫，设于该载板的该表面上，及一导电接合层，该导电接合层包含一电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包含：半导体管芯，包含叠层结构，第一接合垫及第二接合垫设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm；载板，具有一表面；第三接合垫及第四接合垫，设于该载板的该表面上；及导电接合层，该导电接合层包含电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包含：半导体管芯，包含叠层结构，第一接合垫及第二接合垫设于该叠层结构的一表面，且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm；载板，具有一表面；第三接合垫及第四接合垫，设于该载板的该表面上；及导电接合层，该导电接合层包含电流导通区，该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该导电接合层包含导电材料及不导电材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该叠层结构的该表面与该载板的该表面的距离小于60μm。4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该导电接合层还包含一电流隔绝区，该电流隔绝区设于该电流导通区外，且该电流隔绝区的该导电材料的含量小于该电流导通区的该导电材料的含量。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，该电流导通区中的该导电材料含量大于75％，且该电流隔绝区的该导电材料含量为0.1％～40％。6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，该不导电材料为热固性材料，且该不导电材料的固化温度高于该导电材料的熔点。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一接合垫具有第一接合面，该第一接合面具有垂直于该第一接合面的一第一法线方向，该第三接合垫具有第二接合面，该第二接合面具有垂直于该第二接合面的第二法线方向，该第一法线方向及该第二法线方向夹设有一第一角度，该第一角度不等于180度。8.如权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世安，陈効义，许明祺，刘俊宏，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71