发光装置制造方法及图纸
Light emitting device
The present invention provides a light emitting device includes a first electrode; and a second electrode facing the first electrode; a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode, wherein the light-emitting layer includes a light emitting quantum dot; and the inorganic layer between the layer and the second electrode, wherein the inorganic layer comprises a metal halide.
【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请要求于2016年3月17日在韩国知识产权局中提交的第10-2016-0032073号韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容以引用方式并入本文。
本公开的一个或多个实施方式涉及量子点发光装置。
技术介绍
量子点发光装置为包括量子点作为其发光层的发光装置。量子点包括具有量子限制效应的半导体材料的纳米晶体。通过由激发源发射的光将量子点激发至能量激发态，量子点自发地发射具有相应的能带隙的能量。相同材料的量子点可以发射具有不同波长的光，这取决于量子点的大小。因此，通过调节量子点的大小，可以获得具有所需波长范围的光，并且可以获得在色纯度和发光效率方面具有改善的特性的装置。因此，量子点可适于各种装置。
技术实现思路
本公开的一个或多个实施方式包括具有长寿命、高可靠性和高再现性的量子点发光装置。另外的方面将在下面的描述中部分列出并且部分会从这些描述而变得明显，或可通过实施本专利技术实施方式而了解。根据一个或多个实施方式，发光装置包括：第一电极；与第一电极相对的第二电极；第一电极与第二电极之间的发光层，所述发光层包括量子点；和发光层与第二电极之间的无机层，所述无...
【技术保护点】
一种发光装置，其包含：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述发光层包含量子点；和在所述发光层与所述第二电极之间的无机层，所述无机层包含金属卤化物。
【技术特征摘要】
2016.03.17 KR 10-2016-00320731.一种发光装置，其包含：第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，所述发光层包含量子点；和在所述发光层与所述第二电极之间的无机层，所述无机层包含金属卤化物。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物或其任何组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含过渡金属卤化物。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含银卤化物、镉卤化物、汞卤化物、锰卤化物、铁卤化物、钴卤化物、镍卤化物、铜卤化物、锌卤化物或其任何组合。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含银氟化物、镉氟化物、汞氟化物、锰氟化物、铁氟化物、钴氟化物、镍氟化物、铜氟化物、锌氟化物或其任何组合。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含AgF、AgF2、CdF2、HgF2、MnF2、FeF2、CoF2、NiF2、CuF、CuF2、ZnF2或其任何组合。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物包含FeF2。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述无机层进一步包含三价金属离子。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述无机层进一步包含选自Al3+、Ga3+和In3+的至少一种金属离子。10.如权利要求8所述的发光装置，其中所述金属卤化物掺杂有所述三价金属离子。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物具有3.1eV至4.6eV的能带隙。12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述金属卤化物具有700℃至1400℃的熔点。13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述无机层具有至的厚度。14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述量子点具有包含以下的核壳结构：包含第一半导体晶体的核和包含第二半导体晶体的壳。...
【专利技术属性】
技术研发人员：金利受，金东赞，朴应晳，尹元珉，李炳德，朱容赞，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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