一种倒装LED芯片阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒装LED芯片阵列结构，包括：由透明材料制成的透明衬底，设置于透明衬底一表面的缓冲层，形成于缓冲层的N型半导体结构层和P型半导体结构层，由导电材料制成的电流扩散层，设置于P型半导体结构层上方，由透明绝缘材料制成的钝化层，覆盖于电流扩散层、P型半导体结构层、N型半导体结构层的上方；与N型半导体结构层接触的多个呈阵列式排布的N型电极窗口区；与P型半导体结构层接触的P型电极窗口区；N型电极窗口区设置有N型电极，所述P型电极窗口区设置有P型电极，P型电极和N型电极的高度相同。增加大功率LED芯片发光有效面积；增大了芯片电极与散热基板间的有效接触面积，散热效果更佳；提高了芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片阵列结构及其制备方法
本专利技术涉及一种倒装LED芯片，具体地涉及一种倒装LED芯片阵列结构及其制备方法。
技术介绍
白光LED光源作为第四代绿色照明光源，因为其具有高效率、高亮度、体积小、使用寿命长、耗电量低、环保等优点，有望取代传统白炽灯、日光灯、卤素灯等传统照明光源，是新一代广泛应用的优质光源，将成为工业、生活必不可少的照明工具。但是目前要把LED芯片功率做大，又要更好的解决芯片的散热能力，提高芯片亮度，是目前大功率LED遇到的最大技术瓶颈。传统的LED封装方式都采用正装的方式，然后根据灯具的功率需求，将每个正装封装好的灯珠集成SMT贴片到散热基板上。传统方法具有以下缺点：（1）每个芯片都要单独封装成小管座然后贴在大散热模块上，单个芯片功率做不大，工序繁琐；（2）由于采用正装方式，电流扩散层和金属电极都在有源区上方，对有源区发出的光有吸光作用，会有20%-30%以上的出光损耗，出光效率低；（3）正装芯片通过金属引线导热，导热有效面积小，导热路径长，散热效果没有倒装芯片的散热效果好。虽然目前也有LED芯片倒装方案，但是传统的LED芯片倒装方案具有以下缺点：（1）本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，包括：一透明衬底，由透明材料制成，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面；一缓冲层，设置于第一表面；一N型半导体结构层，形成于缓冲层；一P型半导体结构层，形成于N型半导体结构层；一电流扩散层，由导电材料制成，设置于P型半导体结构层上方；一钝化层，由透明绝缘材料制成，覆盖于电流扩散层、P型半导体结构层、N型半导体结构层的上方；与N型半导体结构层接触的多个N型电极窗口区，所述N型电极窗口区呈阵列式排布；与P型半导体结构层接触的P型电极窗口区；所述N型电极窗口区设置有N型电极，所述P型电极窗口区设置有P型电极，所述P型电极和N型电极的高度相同。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，包括：一透明衬底，由透明材料制成，具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面；一缓冲层，设置于第一表面；一N型半导体结构层，形成于缓冲层；一P型半导体结构层，形成于N型半导体结构层；一电流扩散层，由导电材料制成，设置于P型半导体结构层上方；一钝化层，由透明绝缘材料制成，覆盖于电流扩散层、P型半导体结构层、N型半导体结构层的上方；与N型半导体结构层接触的多个N型电极窗口区，所述N型电极窗口区呈阵列式排布；与P型半导体结构层接触的P型电极窗口区；所述N型电极窗口区设置有N型电极，所述P型电极窗口区设置有P型电极，所述P型电极和N型电极的高度相同。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，所述透明衬底由蓝宝石、氮化镓、氮化铝中的一种或者多种合成。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，所述电流扩散层选用银、铟锡氧化物（ITO）、氟锡氧化物、铬锡氧化物、石墨烯中的一种或者多种合成。4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，所述钝化层的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝的一种或多种合成。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片阵列结构，其特征在于，所述P型电极和N型电极倒装在封装基板上，所述封装基板包括焊接区域的金属互连电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王峰，
申请(专利权)人：苏州瑞而美光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32