本发明专利技术公开了一种晶体矿物的透光率检测装置，包括直流电源、第一发光二极管至第五发光二极管、第一电阻至第六电阻、时基集成芯片、与非门芯片、光敏电阻、第一电容、第二电容、电位器和二极管，将待检测的晶体矿物质防止与第一发光二极管与光敏电阻之间，第一发光二极管的光穿过晶体矿物后照射到光敏电阻上，光敏电阻的阻值改变，从而使时基集成芯片触发与非门芯片控制第二发光二极管至第五发光二极管的点亮个数，点亮个数越多，证明晶体矿物的透光率越高，反之越低。与现有技术相比，本发明专利技术采用电子仪器对晶体矿物进行透光度检测，通过光感应而实现，检测快速，检测结果精确而便于观察，使用方便，具有推广应用的价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体类矿物检测装置，尤其涉及一种晶体矿物的透光率检测装置。
技术介绍
矿物晶体是指由生长在岩石的裂隙或空洞中的许多矿物单晶体所组成的簇状集合体，它们一端固定于共同的基地岩石上，另一端自由发育而具有良好的晶行。晶簇可以有单一的同种矿物的晶体组成，也可以由几种不同的矿物的晶体组成。在矿物晶体的开采和检测过程中，需要对其进行透光度检测，然而现有技术都是通过光源照射而人工观察的，检测结果不够准确，因此，需要一种高效快速的仪器诞生。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种晶体矿物的透光率检测装置。 本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的： 本专利技术包括直流电源、第一发光二极管至第五发光二极管、第一电阻至第六电阻、时基集成芯片、与非门芯片、光敏电阻、第一电容、第二电容、电位器和二极管，所述直流电源的正极同时与所述第一发光二极管的正极、所述光敏电阻的第一端、所述电位器的第一端、所述时基集成芯片的第四引脚、所述时基集成芯片的第八引脚和所述第三电阻至第六电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一发光二极管的负极、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述时基集成芯片的第一引脚连接，所述第一电容的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述二极管的负极、所述时基集成芯片的第 二引脚和第六引脚连接，所述第二电容的第二端与所述时基集成芯片的第五引脚连接，所述二极管的正极同时与所述第二电阻的第二端、所述光敏电阻的第二端、所述第一电阻的第一端和所述时基集成芯片的第七引脚连接，所述第一电阻的第二端同时与所述电位器的第二端和滑动端连接，所述时基集成芯片的第三引脚与所述与非门芯片的信号输入端连接，所述与非门芯片的四个信号输出端分别与所述第二发光二极管至第五发光二极管的负极连接，所述第二发光二极管至第五发光二极管的正极分别与所述第三电阻至第六电阻的第二端连接。 本专利技术的有益效果在于： 本专利技术是一种晶体矿物的透光率检测装置，与现有技术相比，本专利技术采用电子仪器对晶体矿物进行透光度检测，通过光感应而实现，检测快速，检测结果精确而便于观察，使用方便，具有推广应用的价值。 附图说明图1是本专利技术的电路结构原理图。 具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明： 如图1所示：本专利技术包括直流电源、第一发光二极管LED1至第五发光二极管LED5、第一电阻R1至第六电阻R6、时基集成芯片IC1、与非门芯片IC2、光敏电阻RG、第一电容C1、第二电容C2、电位器RP和二极管D，直流电源的正极同时与第一发光二极管LED1的正极、光敏电阻RG的第一端、电位器RP的第一端、时基集成芯片IC1的第四引脚、时基集成芯片IC1的第八引脚和第三电阻R3至第六电阻R6的第一端连接，直流电源的负极同时与第一发光二极管LED1的负极、第一电容C1的第一端、第二电容C2的第一端和时基集成 芯片IC1的第一引脚连接，第一电容C1的第二端同时与第二电阻R2的第一端、二极管D的负极、时基集成芯片IC1的第二引脚和第六引脚连接，第二电容C2的第二端与时基集成芯片IC1的第五引脚连接，二极管D的正极同时与第二电阻R2的第二端、光敏电阻RG的第二端、第一电阻R1的第一端和时基集成芯片IC1的第七引脚连接，第一电阻R1的第二端同时与电位器RP的第二端和滑动端连接，时基集成芯片IC1的第三引脚与与非门芯片IC2的信号输入端连接，与非门芯片IC2的四个信号输出端分别与第二发光二极管LED2至第五发光二极管LED5的负极连接，第二发光二极管LED2至第五发光二极管LED5的正极分别与第三电阻R3至第六电阻R6的第二端连接。 本专利技术的工作原理如下： 本专利技术工作时，将待检测的晶体矿物质防止与第一发光二极管LED1与光敏电阻RG之间，第一发光二极管LED1的光穿过晶体矿物后照射到光敏电阻RG上，光敏电阻RG的阻值改变，从而使时基集成芯片IC1触发与非门芯片IC2控制第二发光二极管LED2至第五发光二极管LED5的点亮个数，点亮个数越多，证明晶体矿物的透光率越高，反之越低。 本专利技术的元器件参数选择如下： 直流电源为5V、第一发光二极管LED1为3W、第二发光二极管LED2至第五发光二极管LED5均为0.5W、第一电阻R1为100Ω、第二电阻R2为400Ω、第三电阻R3为500Ω、第四电阻R4为2kΩ、第五电阻R5为27kΩ、第六电阻R6为200Ω、时基集成芯片IC1为型号NE555的时基集成芯片、与非门芯片IC2为型号CD4011的与非门芯片、光敏电阻RG为470Ω、第一电容C1为300uf、第二电容C2为470uf、电位器RP为720Ω、二极管D为型号:70HF80的二极管。 以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体矿物的透光率检测装置，其特征在于：包括直流电源、第一发光二极管至第五发光二极管、第一电阻至第六电阻、时基集成芯片、与非门芯片、光敏电阻、第一电容、第二电容、电位器和二极管，所述直流电源的正极同时与所述第一发光二极管的正极、所述光敏电阻的第一端、所述电位器的第一端、所述时基集成芯片的第四引脚、所述时基集成芯片的第八引脚和所述第三电阻至第六电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一发光二极管的负极、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述时基集成芯片的第一引脚连接，所述第一电容的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述二极管的负极、所述时基集成芯片的第二引脚和第六引脚连接，所述第二电容的第二端与所述时基集成芯片的第五引脚连接，所述二极管的正极同时与所述第二电阻的第二端、所述光敏电阻的第二端、所述第一电阻的第一端和所述时基集成芯片的第七引脚连接，所述第一电阻的第二端同时与所述电位器的第二端和滑动端连接，所述时基集成芯片的第三引脚与所述与非门芯片的信号输入端连接，所述与非门芯片的四个信号输出端分别与所述第二发光二极管至第五发光二极管的负极连接，所述第二发光二极管至第五发光二极管的正极分别与所述第三电阻至第六电阻的第二端连接。...
【技术特征摘要】
1.一种晶体矿物的透光率检测装置，其特征在于：包括直流电源、第一发
光二极管至第五发光二极管、第一电阻至第六电阻、时基集成芯片、与非门芯
片、光敏电阻、第一电容、第二电容、电位器和二极管，所述直流电源的正极
同时与所述第一发光二极管的正极、所述光敏电阻的第一端、所述电位器的第
一端、所述时基集成芯片的第四引脚、所述时基集成芯片的第八引脚和所述第
三电阻至第六电阻的第一端连接，所述直流电源的负极同时与所述第一发光二
极管的负极、所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端和所述时基集成
芯片的第一引脚连接，所述第一电容的第二端同时与所述第二电阻的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王忠文，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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