晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护膜去除。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将在正面上在由呈格子状形成的分割预定线划分出的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过排列成格子状的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着分割预定线切断半导体晶片而对形成有器件的区域进行分割从而制造出一个个的器件。上述的沿着半导体晶片的分割预定线的切断通常是通过被称为划片器的切削装置而进行的。该切削装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；切削单元，其具有切削刀具，该切削刀具用于切削由该卡盘工作台保持的被加工物；以及加工进给单元，其使卡盘工作台和切削单元相对地移动，通过使切削刀具旋转并且对保持着被加工物的卡盘工作台进行加工进给，而沿着分割预定线切断晶片。然而，当通过上述的切削装置的切削刀具切断晶片时，在分割出的一个个的器件的外周容易产生较细的缺口，成为使器件的抗折强度降低的原因。为了消除这样的问题，提出了如下的方法：在晶片的正面或背面包覆抗蚀剂膜，通过对该抗蚀剂膜的与分割预定线对应的区域曝光而显影从而去除，然后，通过等离子刻蚀而从抗蚀剂膜侧沿着分割预定线对晶片进行刻蚀，由此沿着分割预定线分割晶片(例如，参照专利文献1)。并且，作为沿着分割预定线分割晶片的方法还实用化一种被称为内部加工的激光加工方法，使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位在应该分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了被称为该内部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技术：从晶片的一个面侧将聚光点定位在内部而照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，而将晶片断裂并分割(例如，参照专利文献2)。然而，存在如下的问题：由于在通过上述的被称为内部加工的激光加工方法将晶片分割而得到的器件的侧面上残留有改质层，因此使抗折强度降低，需要对分割成一个个的器件的侧面进行等离子刻蚀而对改质层进行刻蚀去除从而提高抗折强度。专利文献1：日本特开2006-114825号公报专利文献2：日本特开2004-160493号公报在使用上述的等离子刻蚀的加工方法中，包覆于晶片的正面或背面的抗蚀剂膜由被称为TMAH(TetramethylammoniumHydroxide：四甲基氢氧化铵)的具有毒性的显影液从应该加工的区域去除，并且等离子刻蚀结束之后的抗蚀剂膜由被称为NMP(N-Methylpyrrolidone：N-甲基吡咯烷酮)的有机溶剂从晶片的整个面去除，因此有可能污染环境，需要专用的处理设备，存在设备的维持费用高且生产性差这样的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，在不使用曝光装置和显影装置且不使用专用的处理设备的情况下通过等离子刻蚀沿着分割预定线将晶片分割成抗折强度高的器件。为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了该改质层形成工序和该保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了该分割工序的晶片的该保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了该刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的该保护膜去除。上述保护膜形成工序是在实施改质层形成工序之前实施的。另外，在实施上述保护膜形成工序和改质层形成工序之前，实施如下的晶片支承工序：将晶片的背面或正面粘接在粘合带的正面上，该粘合带的外周部被安装成覆盖环状的框架的内侧开口部。在上述分割工序中，对粘接有晶片的粘合带进行扩展而对晶片施加拉力，由此沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件并且在相邻的器件与器件之间形成间隙。另外，在实施上述晶片支承工序之前，实施如下的背面磨削工序：在晶片的正面上粘接保护部件并对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度。而且，在实施上述背面磨削工序之前，实施如下的保护膜形成工序：在晶片的正面上包覆水溶性树脂而形成保护膜。本专利技术中的晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了该改质层形成工序和该保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了该分割工序的晶片的该保护膜侧提供等离子化的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了该刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的该保护膜去除，因此，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在对相邻的器件与器件之间形成并保持有间隙的状态下实施刻蚀工序，因此在每个器件上包覆有由水溶性树脂构成的保护膜，不需要从应该加工的区域去除抗蚀剂膜。并且，由于一个个的器件的正面或背面上所包覆的保护膜由无毒性的水溶性树脂形成，因此不存在环境污染，并且不需要专用的处理设备，是经济的。附图说明图1是作为通过本专利技术的晶片的加工方法进行分割的晶片的半导体晶片的立体图。图2的(a)～(c)是示出本专利技术的晶片的加工方法的保护膜形成工序的说明图。图3是示出本专利技术的晶片的加工方法的保护膜硬化工序的说明图。图4的(a)、(b)是示出本专利技术的晶片的加工方法的保护部件粘接工序的说明图。图5的(a)、(b)是示出本专利技术的晶片的加工方法的背面磨削工序的说明图。图6是示出本专利技术的晶片的加工方法的晶片支承工序的说明图。图7的(a)～(c)是本专利技术的晶片的加工方法的改质层形成工序的说明图。图8的(a)、(b)是用于实施本专利技术的晶片的加工方法的分割工序的带扩展装置的立体图和剖视图。图9的(a)～(c)是本专利技术的晶片的加工方法的分割工序的说明图。图10的(a)、(b)是本专利技术的晶片的加工方法的器件间间隙保持工序的说明图。图11的(a)、(b)是本专利技术的晶片的加工方法的刻蚀工序的说明图。图12的(a)、(b)是本专利技术的晶片的加工方法的保护膜去除工序的说明图。标号说明2：半导体晶片；21：分割预定线；22：器件；210：改质层；3：保护膜形成装置；31：旋转台；32：树脂液提供喷嘴；300：保护膜；4：紫外线照射器；5：磨削装置；51：磨削装置的卡盘工作台；52：磨削单元；534：磨削磨轮；6：激光加工装置；61：激光加工装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了该改质层形成工序和该保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了该分割工序的晶片的该保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了该刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的该保护膜去除。

【技术特征摘要】
2015.09.18 JP 2015-1855851.一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割成一个个的器件，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了该改质层形成工序和该保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了该分割工序的晶片的该保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了该刻蚀工序的器件提供水而将由水...

【专利技术属性】
技术研发人员：田渕智隆，渡边义雄，S·米兰，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP