用于处理衬底的方法以及电子器件技术

根据各种实施例，一种用于处理衬底的方法可包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件；其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在器件区域中形成至衬底的凹部，其中凹部由衬底的凹部侧壁限定，其中凹部侧壁布置在器件区域中；在凹部中形成接触焊盘，以电连接至少一个电子部件，其中接触焊盘具有比凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在切割区域中切割衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。

Method for processing substrate and electronic device

According to various embodiments, a method for processing a substrate includes: a plurality of devices through the processing area of the substrate and separated from each other in the cutting area, each device region includes at least one electronic component; wherein each of the plurality of device area processing device in the area include: the concave part is formed to the substrate in the device region in which, the side wall of the concave recess by the substrate defining, wherein a concave part is arranged in the side wall of the device region; forming a contact pad in the recess, electrically connected to at least one of the electronic components, wherein the contact pad is larger than the concave side wall and by cutting the substrate in porosity; the cutting region and the plurality of devices each single chip area.

【技术实现步骤摘要】
用于处理衬底的方法以及电子器件
各种实施例总体涉及用于处理衬底的方法以及电子器件。
技术介绍
通常，可在衬底(也称为晶片或载体)上或衬底中以半导体技术对半导体材料进行处理，例如以制造集成电路(也称为芯片)。在半导体材料的处理期间，可应用特定过程，例如在衬底上形成一个或多个层、构造一个或多个层、或者接触已经制造好的芯片。常规地，可通过减小半导体材料(例如硅)的厚度来减小芯片的薄片电阻。举例而言，对于结型场效应晶体管(SFET)，半导体材料的厚度从40μm减小到20μm可导致薄片电阻的厚度减小大约50％。然而，减小半导体材料的厚度增加了芯片在后续处理步骤期间易于破裂或弯曲的可能性。为了增加芯片的断裂强度，例如为了后端处理，使用芯片-太鼓-边沿(chip-taiko-rim)，其通过靠近切口且位于芯片的有源区域外部的、由半导体材料制成的芯片的较厚边缘来使芯片稳定。有源芯片面积可选择性地减薄至预定厚度。有源芯片区域中所得到的腔体由背面金属化部分(例如通过电镀铜)填充，这是占用时间和成本的。此外，铜和半导体材料具有不同的热膨胀系数，其将热机械负载引入芯片中，这可能增加已经处理好的芯片的故障风险。可替换地，使用焊接材料来填充腔体。与铜相比，焊接材料可以增大的电阻(大于12μOhm·cm，相比之下铜为1.8μOhm·cm)和增大的热阻以及降低的热容量为代价来减少制造工作量。
技术实现思路
根据各种实施例，用于处理衬底的方法可包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件；其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在器件区域中形成至衬底的凹部，其中凹部由衬底的凹部侧壁限定，其中凹部侧壁布置在器件区域中；在凹部中形成接触焊盘以电连接所述至少一个电子部件，其中接触焊盘具有比凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在切割区域中切割衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。附图说明在附图中，相同的附图标记在不同视图中通常指代相同的部件。附图并非必然按比例绘制，相反重点通常放在阐述本专利技术的原理上。在下面的描述中，参考以下附图描述本专利技术的各种实施例，附图中：图1A至图1C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图2A至图2C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图3A至图3C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图4A至图4C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图5A至图5C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图6A和图6B以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图7A和图7B以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图8示出了根据各种实施例的图；图9以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图10A和图10B以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图11A至图11C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图12A和图12B以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图13A和图13B以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图14以示意性流程图示出了根据各种实施例的方法；图15以示意性流程图示出了根据各种实施例的方法；图16以示意性流程图示出了根据各种实施例的方法；图17A和图17B以示意性横截面图或顶视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图18A至图18C以示意性横截面图或侧视图分别示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的电子器件；图19A以示意性顶视图示出了在根据按照各种实施例的方法中的处理过程期间的各种实施例的接触焊盘；以及图19B以示意性横截面图或侧视图示出了图19A的接触焊盘。具体实施方式以下详细描述参考附图，附图以说明的方式示出了可实践本专利技术的具体细节和实施例。词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例，实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不应当必然被解释为相比于其他实施例或设计是优选或有利的。就形成在侧部或表面“之上”的沉积材料而言所使用的词语“之上”在本文中可用于表示沉积材料可“直接”形成在所暗指的侧部或表面“上”(例如与之直接接触)。就形成在侧部或表面“上方”的沉积材料而言所使用的词语“之上”在本文中可用于表示沉积材料可“间接”形成在所暗指的侧部或表面“上”，其中在所暗指的侧部或表面与沉积材料之间布置有一个或多个附加层。就结构(或衬底、晶片或载体)的“横向”延伸或在附近“横向”而言所使用的术语“横向”在本文中可用于表示沿着衬底、晶片或载体的表面的延伸或定位关系。这意味着衬底的表面(例如载体的表面或晶片的表面)可用作参考，通常称为衬底的主处理表面(或者载体或晶片的主处理表面))。此外，就结构(或结构元件)的“宽度”而言所使用的术语“宽度”在本文中可用于表示结构的横向延伸。此外，就结构(或结构元件)的高度而言所使用的术语“高度”在本文中可用于表示结构的沿着垂直于衬底表面(例如垂直于衬底的主加工表面)的方向的延伸。就层的“厚度”而言所使用的术语“厚度”在本文中可用于表示层的垂直于该层沉积在其上的支撑部(材料)的表面的空间延伸。如果支撑部的表面平行于衬底的表面(例如平行于主处理表面)，则沉积在支撑部上的层的“厚度”可与层的高度相同。此外，“竖直”结构可指代在垂直于横向方向(例如垂直于衬底的主处理表面)的方向上延伸的结构，并且“竖直”延伸可指代沿着垂直于横向的方向的延伸(例如垂直于衬底的主处理表面的延伸)。根据各种实施例，衬底和半导体区域中的至少一者可包括各种类型的半导体材料或可由其形成，所述半导体材料包括IV族半导体(例如硅或锗)、化合物半导体(例如硅)，例如III-V族化合物半导体(例如砷化镓)或其他类型，包括例如III族半导体、V族半导体或聚合物。在实施例中，衬底和半导体区域中的至少一者由硅(掺杂或未掺杂)制成，在可替换实施例中，衬底和半导体区域中的至少一者为绝缘体上硅(SOI)晶片。作为替换方案，可对衬底和半导体区域中的至少一者使用任何其他合适的半导体材料，例如半导体化合物材料(诸如磷化镓(GaP)、磷化铟(InP))以及任何合适的三元半导体复合材料或四元半导体化合物材料(诸如砷化铟镓(InGaAs))。根据各种实施例，衬底和半导体区域中的至少一者可被处理，从而以在衬底和半导体区域中的至少一者之中(例如在对应的器件区域中)形成或在衬底和半导体区域中的至少一者之上形成这两种方式中的至少一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件，其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在所述器件区域中形成至所述衬底的凹部，其中所述凹部由所述衬底的凹部侧壁限定，其中所述凹部侧壁被布置在所述器件区域中；在所述凹部中形成接触焊盘，以电连接所述至少一个电子部件，其中所述接触焊盘具有比所述凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在所述切割区域中切割所述衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。

【技术特征摘要】
2016.01.18 US 14/997,6011.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件，其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在所述器件区域中形成至所述衬底的凹部，其中所述凹部由所述衬底的凹部侧壁限定，其中所述凹部侧壁被布置在所述器件区域中；在所述凹部中形成接触焊盘，以电连接所述至少一个电子部件，其中所述接触焊盘具有比所述凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在所述切割区域中切割所述衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个电子部件包括至少一个功率电子部件。3.根据权利要求1所述的方法，形成至少一个另外的接触焊盘，以电连接与所述凹部相对的所述至少一个电子部件。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹部的深度大于所述至少一个电子部件的厚度的大约一半。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：将焊接材料安置在所述接触焊盘之上。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述焊接材料至少部分地填充所述接触焊盘的至少一个孔隙。7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触焊盘包括在所述凹部中安置固体颗粒。8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触焊盘包括以下中的至少一种：印刷、点胶沉积、等离子体粉尘沉积以及电化学沉积。9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触焊盘包括使用掩模。10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触焊盘包括平坦化所述接触焊盘。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触焊盘包括导电材料，或者所述接触焊盘的实体部分由导电材料形成。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触焊盘包括银、镍、金和铜，或者所述接触焊盘的实体部分由银、镍、金和铜形成。13.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·米希兹，M·海恩里希，O·赫尔蒙德，P·伊尔西格勒，F·科勒纳，M·勒斯纳，M·施内甘斯，C·特拉范，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT