保护膜覆盖方法技术

提供保护膜覆盖方法，容易地将附着在经由保护带对晶片进行支承的环状的框架的上表面的液状树脂去除。保护膜覆盖方法利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜，在该晶片的正面上形成有多个器件，该保护膜覆盖方法包含将在保护膜覆盖工序中飞散到环状的框架的上表面的水溶性树脂去除的水溶性树脂去除工序。在水溶性树脂去除工序中，一边使旋转工作台旋转一边将清洗喷嘴定位在旋转工作台所保持的环状的框架的上表面而向环状的框架的上表面提供清洗水，并且将空气喷嘴与该清洗喷嘴相邻地定位在旋转方向下游侧，提供空气以使该空气逆着被提供到环状的框架的上表面的清洗水的移动而使清洗水暂时滞留并且将清洗水排出到环状的框架的外侧。

【技术实现步骤摘要】
保护膜覆盖方法
本专利技术涉及在半导体晶片等晶片的正面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法。
技术介绍
如本领域技术人员已知的那样，在半导体器件制造工艺中，在硅等半导体基板的正面上通过呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成有IC、LSI等器件。关于这样形成的半导体晶片，通过沿着分割预定线进行切断而制造出各个器件芯片。并且，在光器件晶片中，在蓝宝石基板等的正面上通过呈格子状形成的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内层叠有氮化镓类化合物半导体等并形成有光器件，沿着分割预定线将该光器件晶片分割成各个发光二极管、激光二极管等光器件芯片并广泛地应用在电子设备中。作为沿着分割预定线对这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片进行分割的方法，提出了如下的方法：通过沿着形成在晶片上的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿着该激光加工槽借助机械切割装置来割断晶片。与切削加工相比，激光加工能够加快加工速度，并且即使是由如蓝宝石那样硬度较高的材料构成的晶片也能够比较容易地进行加工。但是，当沿着晶片的分割预定线照射激光光线时，在所照射的区域内因热量集中而产生碎屑，该碎屑附着在器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护膜覆盖方法，利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内形成有器件，该保护膜覆盖方法的特征在于，具有如下的工序：晶片支承工序，在具有对晶片进行收容的开口的环状的框架的该开口中经由粘合带而粘接晶片的背面，从而利用环状的框架对晶片进行支承；晶片保持工序，在经由粘合带将晶片支承在环状的框架上的状态下以晶片的正面作为上侧而保持在旋转工作台上；保护膜覆盖工序，一边使旋转工作台旋转一边向旋转工作台所保持的晶片的正面中央区域滴下水溶性树脂，从而在晶片的正面上覆盖由水溶性树脂形成的保护膜；以及水溶性树脂去除工序，将在该保护...

【技术特征摘要】
2015.11.16 JP 2015-2239301.一种保护膜覆盖方法，利用水溶性树脂在晶片的正面上覆盖保护膜，该晶片在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内形成有器件，该保护膜覆盖方法的特征在于，具有如下的工序：晶片支承工序，在具有对晶片进行收容的开口的环状的框架的该开口中经由粘合带而粘接晶片的背面，从而利用环状的框架对晶片进行支承；晶片保持工序，在经由粘合带将晶片支承在环状的框架上的状态下以晶片的正面作为上侧而保持在旋转工作台上；保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本拓，吉田博斗，九鬼润一，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP