半导体器件结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方法包括在第一保护层上方形成第二保护层。第二保护层包括金属化合物材料，以及第一保护层和第二保护层包括相同的金属元素。方法包括去除介电层的第二部分以形成通孔。方法包括在通孔中形成导电接触结构。本发明专利技术实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。然而，虽然现有的半导体制造工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但是随着器件持续按比例缩小，它们不是在所有方面都已完全令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及在所述通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及在所述通孔中形成导电接触结构。

【技术特征摘要】
2016.01.07 US 14/990,0091.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层，其中，所述间隔件层围绕所述栅极堆叠件，以及所述介电层围绕所述间隔件层；去除所述介电层的第一部分以在所述介电层中形成第一孔，其中，所述第一孔邻近所述间隔件层，并且所述介电层的第二部分位于所述第一孔下方；在所述栅极堆叠件和所述间隔件层上方形成第一保护层；在所述第一保护层上方形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括金属化合物材料，并且所述第一保护层和所述第二保护层包括相同的金属元素；去除所述介电层的所述第二部分以形成通孔；以及在所述通孔中形成导电接触结构。2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，形成所述第二保护层包括：硅化所述第一保护层的部分。3.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：在去除所述介电层的所述第二部分之后，去除所述第一保护层和所述第二保护层。4.根据权利要求3所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，去除所述第一保护层和所述第二保护层包括：在所述第一保护层和所述第二保护层上实施湿蚀刻工艺。5.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，还包括：在形成所述介电层之前，在所述间隔件层和所述衬底上方形成蚀刻停止层，其中，所述介电层形成在所述蚀刻停止层上方，所述第一孔暴露所述蚀刻停止层的上部，所述第一保护层还形成在所述蚀刻停止层上方，以及去除所述介电层的所述第二部分还包括：去除位于所述介电层的所述第二部分下方的所述蚀刻停止层。6.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件结构的方法，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、栅电极和覆盖层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓萍，许宏彰，苏鸿文，蔡明兴，林睿哲，林圣轩，李亚莲，高研硕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71