半导体结构及其形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着高密度、高集成度的方向发展。为了缩小半导体器件的尺寸，提高半导体器件的集成度，现有技术发展了多重图形化工艺，包括自对准双重图形化工艺、自对准三重图形化工艺及自对四重准图形化工艺。自对准多重图形化是一种通过多次曝光在材料层上形成一目标图像的技术。请参考图1至图6，示出了现有技术一种自对准双重图形化工艺各步骤的结构示意图。需要说明的是，图1至图6中的左图为侧视图，右图为俯视图。如图1所示，提供基底，所述基底包括：衬底100和形成于衬底100上的绝缘层110。在所述绝缘层110上形成多列核心图形120，所述核心图形120为长条形结构，多列核心图形120沿列向延伸且沿行方向依次排布。如图2所示，形成保型覆盖多列核心图形120的间隔层130。如图3所示，图形化所述间隔层130，去除核心图形120上表面和核心图形120之间基底上的间隔层130，保留核心图形120(如图2所示)侧壁上的间隔层130，形成间隔侧墙131。相邻间隔侧墙...
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成多列核心图形，所述多列核心图形的中间区域形成有开口，所述开口横跨至少一根核心图形，所述多列核心图形中被所述开口横跨的核心图形为第一核心图形，其他核心图形为第二核心图形；形成保型覆盖所述核心图形的间隔层；去除绝缘层和核心图形上的间隔层，保留核心图形侧壁上的间隔层，形成侧墙间隔；所述侧墙间隔包括：第一侧墙间隔，形成于第一核心图形朝向所述开口的侧壁上；第二侧墙间隔，形成于所述第二核心图形侧壁上；形成光刻胶，所述光刻胶与所述开口位置相对应，所述光刻胶边缘与邻近第二侧墙间隔的第一侧墙间隔相接触...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成多列核心图形，所述多列核心图形的中间区域形成有开口，所述开口横跨至少一根核心图形，所述多列核心图形中被所述开口横跨的核心图形为第一核心图形，其他核心图形为第二核心图形；形成保型覆盖所述核心图形的间隔层；去除绝缘层和核心图形上的间隔层，保留核心图形侧壁上的间隔层，形成侧墙间隔；所述侧墙间隔包括：第一侧墙间隔，形成于第一核心图形朝向所述开口的侧壁上；第二侧墙间隔，形成于所述第二核心图形侧壁上；形成光刻胶，所述光刻胶与所述开口位置相对应，所述光刻胶边缘与邻近第二侧墙间隔的第一侧墙间隔相接触；以所述侧墙间隔和光刻胶为掩膜，刻蚀所述绝缘层，在所述绝缘层中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属，形成在所述开口处断开的多条金属线。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成多列核心图形的步骤包括：在绝缘层上形成核心层；在所述核心层上形成光刻胶层；通过第一光罩对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶图形；所述第一光罩包括多列条状图形，以及横跨至少一条状图形的开口图形；以所述光刻胶图形为掩膜刻蚀所述核心层，形成所述核心图形；去除所述光刻胶图形。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成多列核心图形的步骤中，所述核心图形为沿行向排列的多列长方形结构，形成于核心图形中的所述开口为长方形结构；形成侧墙间隔的步骤中，所述第一侧墙间隔为沿行向延伸的长方形结构，所述第二侧墙间隔为多个沿列方向延伸的长方形结构；形成光刻胶的步骤中，所述光刻胶为矩形。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，邻近第二侧墙间隔的第一侧墙间隔为边缘第一侧墙间隔，邻近所述边缘第一侧墙间隔的第二侧墙间隔为边缘第二侧墙间隔；所述边缘第一侧墙间隔包括邻近所述边缘第二侧墙间隔的第一端、以及远离所述边缘第二侧墙间隔的第二端；形成光刻胶的步骤中，所述光刻胶的边缘与所述第一端对齐、与第二端对齐或者位于第一端和第二端之间。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述核心图形的材料为无定型碳。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述间隔层的材料为氧化硅。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成侧墙间隔的步骤中，所述侧墙间隔的厚度与核心图形厚度之比为0.2～0.3。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋长庚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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