温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中：在形成核心图形的步骤中，所述核心图形在中间区域具有开口，因此在后续形成的侧墙间隔中，在开口区断开的核心图形邻近开口区的侧壁上形成有第一侧墙间隔，所述第一侧墙间隔在刻蚀绝缘层的步骤中作为掩膜而将第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。