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本发明实施例提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括在衬底上方形成栅极堆叠件、间隔件层和介电层。方法包括去除介电层的第一部分以在介电层中形成第一孔。介电层的第二部分位于第一孔下方。方法包括在栅极堆叠件和间隔件层上方形成第一保护层。方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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