半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法，其包括形成介电层于基板上，及牺牲层于介电层上。此方法还包括形成沟槽通过牺牲层及介电层及形成导电结构于沟槽中。此方法还包括移除牺牲层。此外，牺牲层移除之后，导体元件的上表面与介电层的上表面不等高。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开涉及一种半导体装置的形成方法，且特别涉及一种以研磨工艺形成导电结构的方法。
技术介绍
半导体元件被应用在各种电子应用上，例如个人电脑、手机、数位相机，及其他电子设备。半导体元件通常依序沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体材料层于半导体基板上，再以微影工艺将各材料层图案化以在其上形成电路元件及单元。改善半导体结构效能的重要驱动力之一为电路的高端整合，此可通过于给定的芯片上微型化或缩小元件尺寸来达成。当半导体元件功能密度增加，导线宽度、导线间距、及元件中的互连结构亦须缩小。然而，虽以现有工艺制造互连结构对于原目的来说已经足够，但当元件继续缩小，其并非在各个面向皆令人满意。
技术实现思路
半导体装置的形成方法，包括：形成介电层于基板之上，牺牲层于介电层之上，形成沟槽通过牺牲层及介电层。形成导电结构于沟槽中，以及移除牺牲层。其中牺牲层被移除后，导电结构的上表面与介电层的上表面不等高。附图说明以下将配合所附附图详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的形成方法，包括:形成一介电层于一基板之上；形成一牺牲层于该介电层之上；形成一沟槽通过该牺牲层及该介电层；形成一导电结构于该沟槽中；以及移除该牺牲层，其中该牺牲层被移除后，该导电结构的一上表面与该介电层的一上表面不等高。

【技术特征摘要】
2016.01.06 US 14/989,0361.一种半导体装置的形成方法，包括:形成一介电层于一基板之上；形成一牺...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅世刚，李明翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71