半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法
本公开实施例涉及一种半导体集成电路及其制造方法，特别涉及一种在金属导线之间具有空气间隙(airgap)的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
随着半导体工业导入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(IC)，会增加形成的元件密度且同时缩小集成电路的构件或元件之间的尺寸和间隙，这会导致各种问题。举例来说，对于任两个相邻的导电物而言，当减少导电物之间的距离时，会增加得到的电容(寄生电容(parasiticcapacitance))。上述增加的电容会导致功率消耗的增加，和电阻-电容时间常数(resistive-capacitive(RC)timeconstant)的增加，意即增加信号延迟(signaldelay)。两个相邻的导电物(例如，金属导线)之间的电容为填充上述两个相邻导电物之间的间隙的一绝缘材料的介电常数(dielectricconstant(kvalue))的函数(也为两个相邻导电物之间的一距离和导电物的侧面的尺寸的函数)。因此，半导体集成电路和功能的持续提升是取决于具低介电常数的绝缘(介电)材料。由于具最低介电...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一基板上方形成一第一层间介电层；于该些第一层间介电层中形成第一凹陷；于该些第一凹陷中形成金属导线；于该些金属导线和该些第一层间介电层上方形成一遮罩层；通过图案化该遮罩层形成一第一开口和一第二开口；通过蚀刻该些第一层间介电层形成对应于该第一开口的一第一槽和对应于该第二开口的一第二槽；以及形成一第二层间介电层，以便于该第一槽中形成一第一空气间隙，且于该第二槽中形成一第二空气间隙，其中：该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度，没有两条相邻的该些金属导线的一间隙配置为小于该第一间隙，于一第一区域中...
【技术特征摘要】
2015.12.30 US 62/273,382;2016.06.09 US 15/178,1151.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：于一基板上方形成一第一层间介电层；于该些第一层间介电层中形成第一凹陷；于该些第一凹陷中形成金属导线；于该些金属导线和该些第一层间介电层上方形成一遮罩层；通过图案化该遮罩层形成一第一开口和一第二开口；通过蚀刻该些第一层间介电层形成对应于该第一开口的一第一槽和对应于该第二开口的一第二槽；以及形成一第二层间介电层，以便于该第一槽中形成一第一空气间隙，且于该第二槽中形成一第二空气间隙，其中：该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度，没有两条相邻的该些金属导线的一间隙配置为小于该第一间隙，于一第一区域中形成的该第一空气间隙是夹设于以该第一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，以及于一第二区域中形成的该第二空气间隙是夹设于以该第二间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间。2.一种半导体装置，包括：一第一层间介电层，设置于一基板上方；金属导线，内嵌于该第一层间介电层中，该些金属导线之间以一第一间隙或一第二间隙配置，该第二间隙的长度大于该第一间隙的长度；一第二层间介电层，设置于该第一层间介电层和该些金属导线上方；一第一空气间隙，利用该第二层间介电层形成，该第一空气间隙形成于一第一区域中，且夹设于以该第一间隙配置的相邻两条金属导线之间；以及一第二空气间隙，利用该第二层间介电层形成，该第二空气间隙形成于一第二区域中，且夹设于以大于该第一间隙的一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，其中没有两条相邻的该些金属导线以小于该第一间隙的一间隙配置。3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：一第三空气间隙，利用该第二层间介电层形成，该第三空气间隙形成于一第三区域中，且夹设于以该第一间隙配置的两条相邻的该些金属导线之间，其中位于该第二区域中的两条相邻的该些金属导线的其中之一条为位于该第三区域中的两条相邻的该些金属导线的其中之一条。4...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴於贝，魏圣轩，李莉渝，吴岱洋，陈殿豪，郑价言，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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