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一种半导体装置的形成方法，其包括形成介电层于基板上，及牺牲层于介电层上。此方法还包括形成沟槽通过牺牲层及介电层及形成导电结构于沟槽中。此方法还包括移除牺牲层。此外，牺牲层移除之后，导体元件的上表面与介电层的上表面不等高。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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