形成互连结构的方法技术

一种形成互连结构的方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有层间介质层、硬掩模层以及底部抗反射层；图形化底部抗反射层以形成开口；对开口通入反应气体以在开口的侧壁形成聚合物层；以聚合物层和底部抗反射层为掩模以去除部分硬掩模层；以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模，对层间介质层进行刻蚀，以形成接触孔。本发明专利技术的有益效果在于，通过形成聚合物层以抵消相对于光刻胶层中的开口尺寸，在底部抗反射层以及硬掩模层中形成的开口的尺寸变大的部分，以形成尺寸较为精确的开口，进而尽量保证在层间介质层中形成的开口或者沟槽的尺寸与预定值接近，以避免发生相邻的开口或者沟槽之间连通的现象，从而减小形成的插塞或者线路发生短路的几率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种。
技术介绍
随着现有的半导体技术的发展，不仅使半导体器件的尺寸逐步减小，从而极大地提高了集成电路(Integrated Circuit, IC)中的芯片的集成密度。在现有的形成半导体器件的工艺中，半导体器件的互连结构在后段工艺(backend of Iine1BEOL)中形成，这种工艺在形成有栅极、源区以及漏区的半导体上方形成层间介质层(Inter Layer Dielectric, ILD),然后在所述层间介质层中形成金属或其他导电材料的插塞或者线路，以实现与互连结构中其他层之间的电连接。具体的，这种工艺通常采用在层间介质层上覆盖形成有预定形状的图案的掩模层，所述图案包括开口或者沟槽等图形，通过将掩模层中的开口或者沟槽的图案转移至层间介质层中，进而在层间介质层中形成相应形状的孔洞或者条形沟槽，然后在这些孔洞或者条型沟槽中填充金属或其他导电材料，以形成所述的插塞或者线路。但是，由于半导体器件尺寸的减小，掩模层上形成的开口或者沟槽的图案的尺寸很可能与预定的尺寸之间存在差值，也就是说，发生了失真。在掩模层将开口或者沟槽的图案转移至层间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有层间介质层；在所述层间介质层上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成底部抗反射层；图形化所述底部抗反射层，形成位于底部抗反射层中的开口；对所述开口通入反应气体，以在所述开口的侧壁形成聚合物层；以所述聚合物层和所述底部抗反射层为掩模去除部分硬掩模层；以剩余的硬掩模层为刻蚀掩模，对所述层间介质层进行刻蚀，以在层间介质层中形成接触孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，任佳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31