【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体晶片等被加工物的加工面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序中,在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域内形成IC(integratedcircuit:集成电路)、LSI(large-scaleintegration:大规模集成电路)等器件。然后,通过将半导体晶片沿间隔道切断,来对形成有器件的区域进行分割,从而制造出一个个器件。作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿分割预定线分割的方法,提出有以下方法:通过沿着形成于晶片的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽,并沿着该激光加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如,参照专利文献1)可是,当沿晶片的分割预定线照射激光光线时,会产生如下所述的新的问题:热能集中于被照射的区域从而产生碎屑,该碎屑附着在器件的表面上从而使器件的质量降低。为了消除由上述碎屑引起的问题,提出 ...
【技术保护点】
一种保护膜覆盖方法,其是在待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的方法,其特征在于,该保护膜覆盖方法包括:晶片保持工序,将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在旋转工作台上;液态树脂滴下工序,将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央区域处;水层形成工序,对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水,在晶片的整个正面上形成水层;液态树脂扩散工序,使旋转工作台旋转,随着晶片的旋转,作用于水层的离心力使得水层飞散,由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层;液态树脂供给工序,使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转,并向晶片的整个正面供 ...
【技术特征摘要】
2014.08.21 JP 2014-1681751.一种保护膜覆盖方法,其是在待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而
形成保护膜的方法,其特征在于,
该保护膜覆盖方法包括:
晶片保持工序,将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在旋转工作台上;
液态树脂滴下工序,将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央
区域处;
水层形成工序,对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水,在晶片的整
个正面上形成水层;
液态树脂扩散工序,使旋转工作台旋转,随着晶片的旋转,作用于水层的离心力
使得水层飞散,由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层;
液态树脂供给工序,使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转,并向
晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂;以及
保护膜形成工序,使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转,随着晶
片旋转,作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张,从而在晶片的整个正面上形成保
护膜。
2.一种保护膜覆盖装置,其是在晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的装
置,其特征在于,
所述保护膜覆盖装置具备:
旋转工作台,其在将晶片粘贴在保护带上的状态下保持该晶片,所述保护带安装
在环状框架上;
旋转驱动构件,其驱动该旋转工作台旋转;
供水机...
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