晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。

Wafer processing method

Processing method of wafer, when the wafer inside along the preset dividing line laminated modified layer and the segmentation, through limiting the modified layer toward the crack growth direction from the initial positive, can inhibit the segmentation of bend. A method for processing a wafer, the wafer processing method comprises the following steps: initial modification layer forming step for wafer with laser light through the focal point of the wavelength from the back side of the wafer in the positioning and segmentation line corresponding to the predetermined wafer inside the frontal near and along the predetermined line segmentation of laser irradiation the light along the preset dividing line, the initial formation of a modified layer; and the second phase modified layer forming step, focal point and the adjacent side position of laser light and the initial modified layer along the preset dividing line of irradiation, thus forming for the crack from the early stage to positive growth quality layer toward the modified layer.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线进行分割，在该晶片中，在该晶片的正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上由呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。通过沿着分割预定线将这样形成的半导体晶片切断而对形成有器件的区域进行分割而制造出各个器件芯片。作为对半导体晶片等晶片进行分割的方法，实用化一种被称为内部加工的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线并将聚光点定位在待分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了该被称为内部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技术：将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在晶片的内部而沿着分割预定线照射脉冲激光光线，由此，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过对晶片施加外力而沿着因形成改质层而强度降低的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。作为对晶片施加外力的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术：在晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，在实施了该初期改质层形成工序之后，与该初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线照射激光光线，由此形成次期改质层，该次期改质层用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长，在该次期改质层形成...

【技术特征摘要】
2016.01.19 JP 2016-0078261.一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，在实施了该初期改质层形成工序之后，与该初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP