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提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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