半导体元件制造技术
Semiconductor component
A semiconductor element includes a substrate including a first fin element, a second fin element, and a three fin element. The first source / drain epitaxial feature is located on the first and two fin elements. The first source / drain epitaxial feature is located at the first portion of the first fin element and the first source / drain epitaxial feature, and the second portion on the second fin element is incorporated at the merge point. Second source / drain epitaxial feature on the third fin element. The first sidewall of the second source / drain epitaxial feature engages the first third fin spacer along the first sidewall of the third fin element. The second side wall of the second source / drain epitaxial feature engages the second and third fin spacers located along the second sidewalls of the third fin element. The merging point has a first height less than the second height of the first and third fin compartments.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本揭露是关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
电子工业已经历对更小且更快电子元件的不断增强的需求，这些电子元件同时能支持更大量更复杂且尖端的功能。因此，在半导体工业中持续趋向制造低成本、高效能及低功率集成电路(ICs)。因此，目前已通过缩小半导体IC尺寸(例如，最小特征尺寸)及由此改良生产效率并降低相关成本达成大部分此等目的。然而，此缩小亦将增加复杂性引入半导体制造制程。因此，实现在半导体IC及元件中的持续进步需要在半导体制造制程及技术中的相似进步。近期，已引入多栅极元件来力图通过增加栅极通道耦合、降低开路电流及降低短通道效应(Short-channelEffects,SCEs)改良栅极控制。已引入的一种此多栅极元件是鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor,FinFET)。FinFET由其上形成鳍的基板延伸并用以形成FET通道的鳍式结构获得其名。FinFET是与已知互补金属氧化物半导体(Complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)制程相容且其三维结构允许其经大幅度缩小同时保持...
【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板，包含一第一鳍元件、一第二鳍元件及一第三鳍元件；一第一源极/漏极磊晶特征，位于该第一鳍元件及该第二鳍元件上，其中该第一源极/漏极磊晶特征位于该第一鳍元件上的一第一部分与该第一源极/漏极磊晶特征位于该第二鳍元件上的一第二部分于一合并点合并；以及一第二源极/漏极磊晶特征，位于该第三鳍元件上，其中该第二源极/漏极磊晶特征的一第一侧壁接合沿该第三鳍元件的一第一侧壁设置的一第一第三鳍隔层，以及其中该第二源极/漏极磊晶特征的一第二侧壁接合沿该第三鳍元件的一第二侧壁设置的一第二第三鳍隔层；其中该合并点具有一第一高度，小于该第一第三鳍隔层的一第二高度。
【技术特征摘要】
2016.01.15 US 14/997,3721.一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板，包含一第一鳍元件、一第二鳍元件及一第三鳍元件；一第一源极/漏极磊晶特征，位于该第一鳍元件及该第二鳍元件上，其中该第一源极/漏极磊晶特征位于该第一鳍元件上的一第一部分与该第一源极/漏极磊晶特征位于该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：江国诚，蔡庆威，王志豪，梁英强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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