一种电子器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种电子器件及其制备方法，电子器件包括：衬底；位于衬底上的埋氧层；位于埋氧层上的漂移层，漂移层的上表面形成有窗口；位于窗口内壁或者窗口内壁以及窗口下表面的掺杂区，掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；位于窗口内的绝缘层，绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层；位于绝缘层内的至少两个金属场板，金属场板与掺杂区对应设置；位于漂移层上或者绝缘层上远离埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。采用上述技术方案，第一绝缘层和第二绝缘层的界面交界处引入电场峰值，至少两个金属场板处引入电场峰值，提升漂移层的平均电场，提升电子器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种电子器件及其制备方法
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种电子器件及其制备方法。
技术介绍
功率集成电路也称高压集成电路，是现代电子学的重要分支，可为各种功率变换和能源处理装置提供高速、高集成度、低功耗和抗辐照的新型电路，广泛应用于电力控制系统、汽车电子、显示器件驱动、通信和照明等日常消费领域以及国防、航天等诸多重要领域。其应用范围的迅速扩大，对其核心部分的高压器件也提出了更高的要求。对功率器件而言，在保证击穿电压的前提下，必须尽可能地降低器件的导通电阻来提高器件性能。但击穿电压和导通电阻之间存在一种近似平方关系，形成所谓的“硅限”。必须引入新的材料或器件结构才能有效的突破“硅限”。为了进一步提高器件性能，业内提出了沟道-横向扩散金属氧化物半导体(Trench-LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，Trench-LDMOS)器件结构，有效的提高了半导体功率器件性能。传统的绝缘体上硅结构(SiliconOnInsulator，SOI)Trench-LDMOS器件是在漂移区中部插入一层深的Trench层，可以有效的减小漂移区长度，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的埋氧层；位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层的上表面形成有窗口，所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面；位于所述窗口内壁，或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；位于所述窗口内的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面平行；位于所述绝缘层内的至少两个金属场板，所述金属场板与所述掺杂区对应设置；位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极...

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的埋氧层；位于所述埋氧层上远离所述衬底一侧的漂移层，所述漂移层的上表面形成有窗口，所述漂移层的上表面为所述漂移层远离所述埋氧层一侧的表面；位于所述窗口内壁，或者所述窗口内壁以及所述窗口下表面的掺杂区，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；位于所述窗口内的绝缘层，所述绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面平行；位于所述绝缘层内的至少两个金属场板，所述金属场板与所述掺杂区对应设置；位于所述漂移层上远离所述埋氧层一侧或者所述绝缘层上远离所述埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一绝缘层为SiO2层，所述第二绝缘层为低温共烧陶瓷。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属场板包括至少一个栅极金属场板和至少一个漏极金属场板，所述栅极金属场板与所述栅极电极连接，所述漏极金属场板与所述漏极电极连接；所述第一掺杂区为N型掺杂区，所述栅极金属场板与所述N型掺杂区对应设置；所述第二掺杂区为P型掺杂区，所述漏极金属场板与所述P型掺杂区对应设置。4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述栅极金属场板和所述漏极金属场板位于所述第一绝缘层内；或者，所述栅极金属场板和所述漏极金属场板位于所述第二绝缘层内；或者，所述栅极金属场板位于所述第一绝缘层内，所述漏极金属场板位于第二绝缘层内；或者，所述栅极金属场板位于所述第二绝缘层内，所述漏极金属场板位于第一绝缘层内；或者，所述栅极金属场板和所述漏极金属场板位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的界面交界处。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏超，张琦，吴良松，陈锃基，
申请(专利权)人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所，
类型：发明
国别省市：江苏,32