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本发明实施例公开了一种电子器件及其制备方法，电子器件包括：衬底；位于衬底上的埋氧层；位于埋氧层上的漂移层，漂移层的上表面形成有窗口；位于窗口内壁或者窗口内壁以及窗口下表面的掺杂区，掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区；位于窗口内的绝缘层，绝缘层...
该专利属于工业和信息化部电子第五研究所华东分所所有，仅供学习研究参考，未经过工业和信息化部电子第五研究所华东分所授权不得商用。

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