一种场效应晶体管及制作方法技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置。本发明专利技术还提供了一种场效应晶体管的制作方法。本发明专利技术通过多晶硅层部分覆盖场区氧化层，并在源漏区外围制作出与所述多晶硅层部分相对设置的阱区，从而使得在测试场管的阈值电压时，不会造成栅极氧化层的击穿，从而使得测试结果准确可靠。

Field effect transistor and manufacturing method thereof

The present invention provides a field effect transistor includes a first structure, the first structure comprises a substrate, a plurality of spaced field oxide layer formed on the substrate, the plurality of field oxide spacer region is formed with a gate oxide layer, the gate oxide layer is formed near the substrate direction active leakage area, the partial region field oxide layer covering the polysilicon layer on the substrate is formed well spaced; wherein, the well region and the field oxide layer part of the contact, the source and drain regions located in the well region, part of the region wells and the polysilicon layer is opposite to the. The invention also provides a manufacturing method of the field effect transistor. The polysilicon layer covers field oxide layer, and the source and drain regions outside produced well region arranged relatively with the polysilicon layer, so that the threshold voltage in the test tube field, will not cause the breakdown of the gate oxide layer, so that the test results are accurate and reliable.

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种场效应晶体管及制作方法。
技术介绍
在芯片的测试结构中，场管的结构比较特殊，其采用厚的场氧化层作为栅极氧化层，所以它的阈值电压就会比较高，而芯片中常规MOS管的栅极氧化层比较薄，在场氧化层与MOS管栅极氧化层交界处，当测试场管的阈值电压时，容易造成MOS栅极氧化层的击穿，使得测试结果不准确。常规的场管结构以及制作工艺如图1(a)～图1(h)。如图1(a)所示，薄氧化层和氮化硅层的生长；如图1(b)所示，氮化硅层的刻蚀；如图1(c)所示，场区氧化层的生长；如图1(d)所示，氮化硅层和薄氧化层的去除；如图1(e)所示，栅极氧化层的生长；如图1(f)所示，多晶硅层的生长；如图1(g)所示，多晶硅栅极的光刻与刻蚀；如图1(h)所示，N+源漏区的制作。对于图1(h)，因为多晶硅层要跨越场区氧化层和薄的栅极氧化层，而这两者的厚度会差异很大，场区氧化层厚度约为0.5～2.0um，薄的栅极氧化层厚度约为0.01～0.20um，厚度越薄，其击穿电压越低，当测试该场管的阈值电压时，多晶硅上所加的电压，极容易造成薄栅极氧化层处的击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，其特征在于，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，包括第一结构，所述第一结构包括衬底，在所述衬底上形成有间隔分布的多个场区氧化层，所述多个场区氧化层的间隔区域形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层靠近衬底方向形成有源漏区，所述场区氧化层的部分区域覆盖有多晶硅层，其特征在于，在所述衬底上还形成有间隔分布的阱区；其中，所述阱区与所述场区氧化层部分接触，所述源漏区位于所述阱区内部，所述阱区与所述多晶硅层的部分区域相对设置。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，当所述衬底为P型硅衬底时，所述阱区内的离子和所述源漏区内的离子为磷离子或砷离子。3.根据权利要求1所示的结构，其特征在于，当所述衬底为N型硅衬底时，所述阱区内的离子和所述源漏区内的离子为硼离子。4.根据权利要求2或3所述的结构，其特征在于，所述阱区内的离子的能量范围为40KEV-150KEV，剂量范围为1.0E12-1.0E14个/每平方厘米；所述源漏区内的离子的能量范围为40KEV-150KEV，剂量范围为1.0E14-1.0E16个/每平方厘米。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述场区氧化层的厚度范围为0.1-2.0um，所述栅极氧化层的厚度范围为0.01-0.50um，所述多晶硅层的厚度范围为0.05-1.0um。6.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上注入以及驱入离子，形成带有阱区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11