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一种半导体元件，包含含有第一鳍元件、第二鳍元件及第三鳍元件的基板。第一源极/漏极磊晶特征位于第一及第二鳍元件上。第一源极/漏极磊晶特征位于第一鳍元件上的第一部分与第一源极/漏极磊晶特征位于第二鳍元件上的第二部分于合并点合并。第二源极/漏极磊...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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