鳍状场效晶体管制造技术

本发明专利技术实施例提供一种鳍状场效晶体管，包括衬底、至少一栅极结构、多个间隔物以及源极区与漏极区。所述衬底具有多个鳍片以及多个绝缘体位于多个鳍片之间。源极区与漏极区设置于至少一栅极结构的两个相对侧边。栅极结构设置并覆盖于多个鳍片与多个绝缘体上方。所述栅极结构包括设置于衬底上的堆叠条以及设置于堆叠条上的栅电极堆叠。所述多个间隔物设置于栅极结构的相对侧壁上，且栅电极堆叠与相对设置的间隔物的侧壁相接触。

Fin field effect transistor

The embodiment of the invention provides a fin field effect transistor comprises a substrate, at least one gate structure, a plurality of spacers and the source and drain regions. The substrate has a plurality of fins and a plurality of insulators positioned between a plurality of fins. The source and drain regions are provided at the two opposing sides of at least one gate structure. The gate structure is provided and covers a plurality of fins and a plurality of insulators. The gate structure includes a stacked bar disposed on the substrate and a gate electrode stack disposed on the stack. The plurality of spacers are disposed on opposite sidewalls of the gate structure, and the gate electrodes stack in contact with sidewalls of the opposed spacers.

【技术实现步骤摘要】
鳍状场效晶体管
本专利技术实施例是涉及一种晶体管，且特别是涉及一种鳍状场效晶体管以及其制造方法。
技术介绍
随着半导体装置的尺寸有逐渐缩小的趋势，目前，已积极地针对三维多栅极结构，例如对鳍状场效晶体管(FinFETs)进行开发。鳍状场效晶体管中的半导体材料鳍片的窄条是用以形成晶体管的源极、漏极以及沟道区域，且围绕沟道区域的栅极结构可进一步提供更佳的沟道电性控制。当半导体装置尺寸不断缩小时，鳍片的设置会变的更为紧密且栅极间距也会减小。
技术实现思路
本专利技术实施例是针对一种鳍状场效晶体管以及其制造方法。本专利技术实施例提供一种鳍状场效晶体管，其包括衬底、至少一栅极结构、多个间隔物以及源极区与漏极区。所述衬底具有多个鳍片以及多个绝缘体位于多个鳍片之间。源极区以及漏极区设置于至少一栅极结构的两个相对侧边。栅极结构设置并覆盖于多个鳍片与多个绝缘体上方。所述栅极结构包括设置于衬底上的堆叠条以及设置于堆叠条上的栅电极堆叠。所述多个间隔物设置于栅极结构的相对侧壁上，且栅电极堆叠与相对设置的间隔物的侧壁相接触。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍状场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有多个鳍片以及多个绝缘体位于所述鳍片之间；至少一栅极结构，设置并覆盖于所述鳍片与所述绝缘体上方，其中，所述至少一栅极结构包括设置于所述衬底上的堆叠条以及设置于所述堆叠条上的栅电极堆叠；多个间隔物，设置于所述至少一栅极结构的相对侧壁上，其中，所述栅电极堆叠与相对设置的所述间隔物的侧壁相接触；以及源极与漏极区，设置于所述至少一栅极结构的两个相对侧边。

【技术特征摘要】
2015.12.15 US 14/968,9171.一种鳍状场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有多个鳍片以及多个绝缘体位于所述鳍片之间；至少一栅极结构，设置并覆盖于所述鳍片与所述绝缘体上方，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71