用于制备紫外LED芯片的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片。本发明专利技术用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，能提高紫外LED的性能。

【技术实现步骤摘要】
用于制备紫外LED芯片的方法
本专利技术涉及用于制备紫外LED芯片的方法。
技术介绍
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。紫外LED的性能与紫外LED芯片息息相关，特别是紫外LED芯片的散热性能，很大程度上决定了紫外LED的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，能提高紫外LED的性能。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；按重量份计，所述基底由以下组分组成：34～41份聚苯乙烯，28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，2～4份碳化硅，3～5份酒石酸钾钠，2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2～5份二苯基丁二酮，1～4份苯三唑，2～3份纳米氧化铈，6～8份乙二醇单硬脂酸酯，2～7份硼酸钙，1～4份四丁基锡，1～2份二茂铁，2～3份三聚磷酸钠，4～6份α-烯基磺酸钠。优选的，按重量份计，所述基底由以下组分组成：34份聚苯乙烯，28份氯磺化聚乙烯橡胶，2份碳化硅，3份酒石酸钾钠，2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2份二苯基丁二酮，1份苯三唑，2份纳米氧化铈，6份乙二醇单硬脂酸酯，2份硼酸钙，1份四丁基锡，1份二茂铁，2份三聚磷酸钠，4份α-烯基磺酸钠。优选的，按重量份计，所述基底由以下组分组成：41份聚苯乙烯，32份氯磺化聚乙烯橡胶，4份碳化硅，5份酒石酸钾钠，6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，5份二苯基丁二酮，4份苯三唑，3份纳米氧化铈，8份乙二醇单硬脂酸酯，7份硼酸钙，4份四丁基锡，2份二茂铁，3份三聚磷酸钠，6份α-烯基磺酸钠。本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种用于制备紫外LED芯片的方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，且基底还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，能提高紫外LED的性能。基底的性能是基于其材料的，而基底材料的性能是由其组分及配比所决定的，本专利技术对基底材料的组分及配比进行特殊优化，使基底材料具有优异的导热性能，且基底材料还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃的性能，可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。基底材料的性能是由其组分及配比所决定的，而组分及配比的确定非简单地“加法”，即并非将各个组分的性能一一累加就可得出基底材料的性能；基底材料中的不同组分会相互影响，如果组分及其配比不相互协调，单个组分所带来的有益效果，会被其他组分消减甚至消除，严重的时候，不同组分相互抵触，起不到整体综合作用，产生负作用和次品。本专利技术通过大量创造性劳动、反复验证，得到基底材料的最优组分及配比，使得多个组分综合在一起、相互协调、并产生正向综合效应，最终使基底材料具有优异的导热性能，还进一步使基底材料具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、耐磨擦、阻燃性能，基底可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。本专利技术具体实施的技术方案是：实施例1一种用于制备紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；按重量份计，所述基底由以下组分组成：34～41份聚苯乙烯，28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，2～4份碳化硅，3～5份酒石酸钾钠，2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2～5份二苯基丁二酮，1～4份苯三唑，2～3份纳米氧化铈，6～8份乙二醇单硬脂酸酯，2～7份硼酸钙，1～4份四丁基锡，1～2份二茂铁，2～3份三聚磷酸钠，4～6份α-烯基磺酸钠。实施例2在实施例1的基础上，区别在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：34份聚苯乙烯，28份氯磺化聚乙烯橡胶，2份碳化硅，3份酒石酸钾钠，2份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2份二苯基丁二酮，1份苯三唑，2份纳米氧化铈，6份乙二醇单硬脂酸酯，2份硼酸钙，1份四丁基锡，1份二茂铁，2份三聚磷酸钠，4份α-烯基磺酸钠。实施例3在实施例1的基础上，区别在于，按重量份计，所述基底由以下组分组成：41份聚苯乙烯，32份氯磺化聚乙烯橡胶，4份碳化硅，5份酒石酸钾钠，6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，5份二苯基丁二酮，4份苯三唑，3份纳米氧化铈，8份乙二醇单硬脂酸酯，7份硼酸钙，4份四丁基锡，2份二茂铁，3份三聚磷酸钠，6份α-烯基磺酸钠。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；按重量份计，所述基底由以下组分组成：34～41份聚苯乙烯，28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，2～4份碳化硅，3～5份酒石酸钾钠，2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2～5份二苯基丁二酮，1～4份苯三唑，2～3份纳米氧化铈，6～8份乙二醇单硬脂酸酯，2～7份硼酸钙，1～4份四丁基锡，1～2份二茂铁，2～3份三聚磷酸钠，4～6份α‑烯基磺酸钠。

【技术特征摘要】
1.用于制备紫外LED芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备蓝宝石衬底；2）将蓝宝石衬底抛光；3）在蓝宝石衬底上制备GaN外延；4）将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离；5）在GaN外延顶面制备电极；6）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；按重量份计，所述基底由以下组分组成：34～41份聚苯乙烯，28～32份氯磺化聚乙烯橡胶，2～4份碳化硅，3～5份酒石酸钾钠，2～6份甲基丙烯酸二甲氨基乙酯，2～5份二苯基丁二酮，1～4份苯三唑，2～3份纳米氧化铈，6～8份乙二醇单硬脂酸酯，2～7份硼酸钙，1～4份四丁基锡，1～2份二茂铁，2～3份三聚磷酸钠，4～6份α-烯基磺酸钠。2.根据权利要求1所述的用于制备紫外LED芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐胜利，沈春生，李玉荣，
申请(专利权)人：盐城东紫光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32