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用于制备紫外LED芯片的方法技术
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文档序号:15866246
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本发明公开了一种用于制备紫外LED芯片的方法,包括如下步骤:1)制备蓝宝石衬底;2)将蓝宝石衬底抛光;3)在蓝宝石衬底上制备GaN外延;4)将蓝宝石衬底从GaN外延底面剥离;5)在GaN外延顶面制备电极;6)将GaN外延底面固定于基底上,制...
该专利属于盐城东紫光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盐城东紫光电科技有限公司授权不得商用。
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