一种发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1‑xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1‑xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。该发光二极管外延片能够提高发光二极管发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及发光二极管领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
半导体发光二极管(英文LightEmittingDiodes，简称LED)作为新型高效固体光源，是照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一飞跃，引发了第三次照明革命，因具有节能环保、可靠性高、使用寿命长等优点而受到社会广泛的关注。近年来，越来越多的研究者们投入到提高发光二极管发光效率的研究中，研究出通过降低极化效应，增加空穴浓度，防止电子溢流等等提高发光二极管的发光效率的方法。种种研究表明：多量子阱层中的空穴浓度是制约发光二极管的发光效率提升的关键所在，因为电子的有效质量远远小于空穴，其具有较高的载流子迁移率，电子很快越过多量子阱层进入P型氮化镓层与空穴进行非辐射复合，形成漏电流，降低了发光二极管的发光效率和抗静电能力。为避免此种情况，常常在多量子阱层生长完成后，再生长一电子阻挡层，大量实验证明该电子阻挡层确实可以有效的减少电子越过多量子阱层到达P型氮化镓层与空穴复合，从而减少了电子溢流，但是同时由于电子阻挡层的势垒较高，同样阻挡了空穴进入到多量子阱层中，所以这样做对于改善本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1‑xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1‑xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层包括交叠生长的多个量子阱层和多个量子垒层，所述多个量子垒层均为AlxGa1-xN层、InyAlxGaN层、或者AlxGa1-xN层和InyAlxGaN层构成的超晶格结构，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层中的至少一个为P型掺杂的量子垒层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述P型氮化镓层的三个量子垒层为所述多个量子垒层中厚度最小的三个量子垒层。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，0＜x＜0.5。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中的x的取值沿着所述发光二极管外延片的生长方向逐渐降低。5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个量子垒层中最靠近所述N型氮化镓层的量子垒层的x的取值为：0.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：武艳萍，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33