一种发光二极管的外延片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层和有源层，其中，有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向反应腔内通入三甲基镓，并向反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；步骤2：停止向反应腔内通入三甲基铟，并向反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；通过利用反应腔内生长N型层或量子垒层时剩余的三甲基镓生长量子阱层，由于在生长量子阱层时只补充了三甲基铟，因此可以提高量子阱层中的In的组分，从而可以提高电子和空穴在有源层中复合的比例，提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的外延片的制备方法
本专利技术涉及光电子
，特别涉及一种发光二极管的外延片的制备方法。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。外延片的发光区域主要是有源层，当电子和空穴在有源层中复合时就会辐射出光线，而在有源层之外复合则不会辐射光线，因此，可以通过提高电子和空穴在有源层中复合的比例，来提高发光二极管的发光效率。目前所熟知的提高电子和空穴在有源层中复合的比例的方法主要是通过设置电子阻挡层，但是仅仅通过设置电子阻挡层仍不足以使发光二极管的发光效率满足各种场合的需要。
技术实现思路
为了解决现有发光二极管的发光效率低的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层；向反应腔内通入三甲基镓，生长N型层；在所述N型层上生长有源层，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层；向反应腔内通入三甲基镓，生长N型层；在所述N型层上生长有源层，其中，所述有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向所述反应腔内通入三甲基镓，并向所述反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；步骤2：停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；重复上述步骤1和步骤2，以在所述N型层上形成所述有源层；在所述有源层上生长P型层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层；向反应腔内通入三甲基镓，生长N型层；在所述N型层上生长有源层，其中，所述有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向所述反应腔内通入三甲基镓，并向所述反应腔内通入三甲基铟，生长InGaN量子阱层；步骤2：停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层；重复上述步骤1和步骤2，以在所述N型层上形成所述有源层；在所述有源层上生长P型层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述停止向所述反应腔内通入三甲基铟，并向所述反应腔内通入三甲基镓，生长GaN量子垒层，包括：停止向所述反应腔内通入三甲基铟，向所述反应腔内通入三甲基镓、N2，在所述InGaN量子阱层上生长一层GaN盖层；继续向所述反应腔内通入三甲基镓、N2，同时通入H2，在所述GaN盖层上生长一层GaN量子垒子层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述GaN盖层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉亚莉，万林，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33