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本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层和有源层，其中，有源层采用下述方式生长：步骤1：停止向反应腔内通入三甲基镓，并向反应腔内通入三...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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