一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法技术

本发明专利技术提出一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法，避免了由于测试针卡异常造成的量产滞后问题，并同时降低了量产的成本。本发明专利技术的测试方案包括以下步骤：1)晶圆起测；2)确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完成所有的测试项；3)功能测试，即执行DRAM的各种功能测试项；4)测试结束。

Method for testing DRAM wafer by using test pin card

The invention provides a method for testing DRAM wafers by using a test pin card, avoiding the production lag problem caused by the abnormal test card card and reducing the production cost at the same time. The test scheme of the invention comprises the following steps: 1) from the wafer measurement; 2) to determine the key test probe to protect needle card in the test items are separately about the key probe; if a test fails, then turn off the power supply failure chip, and then proceed to the next to other chips a test, until the completion of all the test items; 3) that the implementation of functional testing, test the various functions of DRAM; 4) the end of the test.

【技术实现步骤摘要】
一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法
本专利技术涉及一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法。
技术介绍
DRAM在测试过程中有降低测试成本的需求，因此测试针卡的同测数越来越高，随之而引起的测试针卡的制造成本和维修成本也相应增高。以256芯片同测的测试针卡为例，一张针卡的价格为20万美金，一根测试探针的维修费用为1000美金。传统的DRAM晶圆测试方法如图1所示，测试分三步执行：步骤1：晶圆起测；步骤2：功能测试，即执行DRAM的各种功能测试项；步骤3：测试结束。传统的DRAM晶圆测试中没有考虑到测试针卡探针的保护。按照以上测试流程，当测试异常发生时，极易造成测试探针的损毁，探针的损毁将进一步导致量产的滞后以及芯片成本的提升。
技术实现思路
本专利技术对传统的采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的流程进行了改进，提出一种新的测试方法，能够尽可能避免芯片量产滞后同时降低芯片成本。本专利技术的测试方案如下：步骤1：晶圆起测；步骤2：确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法，包括步骤1：晶圆起测；步骤2：确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完成所有的测试项；步骤3：功能测试，即执行DRAM的各种功能测试项；步骤4：测试结束。

【技术特征摘要】
1.一种采用测试针卡进行DRAM晶圆测试的方法，包括步骤1：晶圆起测；步骤2：确定测试针卡中需要保护的关键探针，依次单独进行有关所述关键探针的测试项；若某一测试项未通过，则关断相应的失效芯片电源，然后对其他芯片继续进行下一测试项，直至完成所有的测试项；步骤3：功能测试，即执行DRAM...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帆，黄华，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61