高频封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高频封装，包含有一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高频封装结构，尤其涉及一种可降低高频损耗的高频封装结构。
技术介绍
行动通讯系统及卫星通讯系统常需进行高频操作，而传统封装结构并未针对高频操作进行设计，因此传统封装结构在高频产生严重的损耗而使传统封装结构的高频效能下降。详细来说，传统封装结构通常透过一打线接合(WireBonding)制程，利用接合线(BondingWires)将一晶粒(Die)以及一引脚(Lead)相互接合，接着透过一模封(Molding)制程，将晶粒以及引脚以一模封塑料(MoldingCompound)包覆而成。然而，模封塑料通常由高损耗的材质所制成，因此会产生电感效应而导致高频损耗恶化。举例来说，请参考图1A至图1C，图1A至图1C分别为现有一封装结构10的剖面图、俯视图及仰视图。封装结构10包含有一晶粒100，晶粒100黏着于一晶粒座(DiePad)102，并透过接合线106连接至引脚104。封装结构10在经过一模封制程之后，接合线106及引脚104均会由模封塑料所覆盖，因此于接合线106及引脚104附近会产生电感效应。需注意的是，晶粒100与其周围的引脚104具有高度差(即晶粒100的一顶面与其周围的引脚104的一顶面之间并未相互共平面)，接合线106的长度必须够长始能连接晶粒100与引脚104，然而，接合线106的长度越长，其所造成电感效应越大，导致高频损耗也更加严重。因此，现有技术实有改善的必要。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的即在于提供一种可降低高频损耗的高频封装结构，以改善现有技术的缺点。本专利技术揭露一种高频封装，包含有一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。【附图说明】图1A、1B、1C分别为现有一封装结构的剖面图、俯视图及仰视图。图2为一电路模型的示意图。图3A及图3B图分别为本专利技术实施例一高频封装结构的俯视图及剖面图。图4为图3A的高频封装结构的插入损耗的频率响应图。图5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H为本专利技术实施例的讯号引脚与其相应的接地引脚的示意图。10、30高频封装结构100、300晶粒102、302晶粒座104引脚106、306接合线308凹槽320、324顶面340、342接地引脚分段344接地引脚346讯号引脚3460中央部3462、3464突出部L1、L2电感S1侧边A-A’线【具体实施方式】关于接合线及引脚附近所产生的电感效应请参考图2，图2为一封装结构的一电路模型示意图。于图2中，一电感L1代表接合线附近所产生的电感效应，而一电感L2代表引脚附近所产生的电感效应。无论是降低电感L1或电感L2，皆可减轻封装结构的高频损耗，进而提升封装结构的高频效能。为了补偿电感L1及电感L2所代表的电感效应，高频封装结构的引脚可经适当设计而形成为传输线。请参考图3A及图3B图，图3A及图3B图分别为本专利技术实施例一高频封装结构30的俯视图及剖面图，其中，图3B图系绘示高频封装结构30沿一A-A’线(绘示于图3A)的剖面图。高频封装结构30包含有一讯号引脚346及一接地引脚344，讯号引脚346及接地引脚344可经设计而形成为传输线(TransmissionLine)而设置于高频封装结构30的一侧边S1。接地引脚344占据高频封装结构30的侧边S1，其包含有接地引脚分段340、342，接地引脚344形成有一中空区域，接地引脚分段340、342相隔该中空区域而彼此相互分离，讯号引脚346设置于该中空区域中。讯号引脚346包含有一中央部3460及突出部3462、3464，突出部3462、3464突出自讯号引脚346的中央部3460。该中空区域的一形状可随着讯号引脚346的一形状而相应变化，而使得接地引脚344与讯号引脚346分离。在此情形下，突出部3462、3464形成传输线的一电容效应，而突出部3462、3464所形成的电容效应可用来补偿电感L1及电感L2所代表的电感效应，同时将讯号引脚346及接地引脚344设计而形成为传输线可有效降低引脚附近的电感L2，进而提升高频封装结构30的高频效能。另外，讯号引脚346透过接合线306连接于一晶粒300，用来传递晶粒300的一高频讯号，同时接地引脚344亦透过接合线306连接于晶粒300的一接地部。需注意的是，连接于晶粒300接地部的接地引脚344的电位维持在一固定接地电位，而讯号引脚346传递晶粒300的高频讯号，在接地引脚344环绕讯号引脚346(如图3A所示)的情况下，接地引脚344及讯号引脚346形成一接地－讯号－接地(Ground-Signal-Ground，GSG)结构。较佳地，接地引脚344的一顶面及讯号引脚346的一顶面位于相同的水平位准(或位于相同的高度)，即接地引脚344的顶面与讯号引脚346的顶面共平面(或相户对齐)，因此可提升高频封装结构30的高频效能。另外，连接晶粒300与讯号引脚346的接合线306设置于连接晶粒300与接地引脚344的接合线306之中，即接合线306亦形成一接地－讯号－接地结构，可进一步地提升高频封装结构30的高频效能。由上述可知，将讯号引脚346及接地引脚344设计而形成传输线可有效降低引脚附近的电感L2，另外，利用讯号引脚346的突出部3462、3464形成传输线的电容效应，可补偿电感L1及电感L2所代表的电感效应，可提升高频封装结构30的高频效能。另外，降低接合线附近的电感L1可进一步提升高频封装结构30的高频效能。藉由降低晶粒300的一顶面，可缩短接合线306的长度，进而降低接合线306附近的电感L1。举例来说，如图3A及图3B图所示，高频封装结构30的一晶粒座302可形成有一凹槽308，当晶粒300黏着于晶粒座302的凹槽308中时，晶粒300的一顶面320大致与其相邻引脚的顶面324相互对齐，其中相邻引脚可为讯号引脚346或接地引脚344。一般来说，晶粒300的顶面320与相邻引脚的顶面324之间于水平位准上之一差距可小于晶粒300的一厚度的60％。较佳地，顶面320与顶面324相互共平面(或相互对齐)。如此一来，可缩短接合线306的长度，降低接合线306附近的电感L1。高频封装结构30的高频效能的改善情形可由比较封装结构10与高频封装结构30的插入损耗(InsertionLoss，即散射参数S21)的频率响应而得，如图4所示。于图4中，虚线代表封装结构10的插入损耗的频率响应，实线代表高频封装结构30的插入损耗的频率响应。由图4可知，封装结构10的一特性频率(当插入损耗为1dB时的频率)仅26GHz，相较之下，高频封装结构30藉由突出部3462、3464形成传输线的电容以补偿电感效应，以及缩短接合线306的长度，如此一来，高频封装结构30的一特性频率可提升至38GHz。另外，相较于封装结构10，高频封装结构30于低于特性频率处具有较轻微的涟波(Ripple)现象，即高频封装结构30具有较佳的操作性能。需注意的是，前述实施例系用以说明本专利技术的概念，本领域具通常知识者当可据以做不同的修饰，而不限于此。举例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频封装，其特征是，包含有：一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。

【技术特征摘要】
2015.08.13 US 62/204,972;2015.10.15 US 14/883,6351.一种高频封装，其特征是，包含有：一接地引脚，耦接于一晶粒；以及一讯号引脚，耦接于该晶粒，该讯号引脚包含至少一突出部，该至少一突出部突出自该讯号引脚的一中央部；其中，该接地引脚及该讯号引脚形成一传输线，该至少一突出部形成该传输线的电容效应。2.如权利要求1所述的高频封装，其特征是，该接地引脚设置于该高频封装的一侧边，该接地引脚占据该侧边。3.如权利要求1所述的高频封装，其特征是，该接地引脚形成有一中空区域。4.如权利要求3所述的高频封装，其特征是，该讯号引脚设置于该中空区域之中。5.如权利要求3所述的高频封装，其特征是，该中空区域的一形状相关于该讯号引脚的一形状，且该接地引脚与该讯号引脚分离。6.如权利要求1所述的高频封装，其特征是，该接地引脚环绕该讯号引脚，该接地引脚与该讯号引脚形成一接地－讯号－接地结构。7.如权利要求1所述的高频封装，其特征是，该接地引脚的一顶面与该讯号引脚的一顶面位于相同的高度。8.如权利要求1所述的高频封装，其特征是，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黃智文，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71