一种千兆SMT封装网络变压器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种千兆SMT封装网络变压器，包括底座、上盖、绕脚、线圈和电路板，所述的绕脚穿插在底座上，绕脚的一端置于底座外部作为PIN脚部分，底座和上盖通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。本实用新型专利技术千兆SMT封装网络变压器具有体积小、高功率POE的优点。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及网络变压器，具体涉及一种千兆SMT封装网络变压器。
技术介绍
现有的网络变压器有单口千兆网络变压器和双口千兆网络变压器。无论是单口千兆网络变压器或是双口千兆网络变压器都能允许以太网在数据传输线上同时传送直流电源。现有的网络变压器适用于网络交换设备、笔记本电脑等，支持lO/lOO/lOOOBase-T传输速率，电性参数及性能符合IEEE802. 3at国际标准，电磁抑制能力符合EN55022 Class B 标准要求。但现有的网络变压器的POE效率低，设计的最大载流能力以及单通道承载受电设备功率的功率做得不是很高。
技术实现思路
本技术需解决的问题是提供一种具有体积小、高功率POE的千兆SMT封装网络变压器。为了实现上述目的，本技术设计出一种千兆SMT封装网络变压器，包括底座、 上盖、绕脚、线圈和电路板，所述的绕脚穿插在底座上，绕脚的一端置于底座外部作为PIN 脚部分，底座和上盖通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。本技术千兆SMT封装网络变压器采用上下盖组合结构设计，除了具备常规网络变压器功能外还实现高功率POE+功能并保持较小的产品封装。允许以太网在数据传输线上同时传送直流电源。本技术千兆SMT封装网络变压器适用于网络交换设备、笔记本电脑等，支持lO/lOO/lOOOBase-T传输速率，电性参数及性能符合IEEE802. 3at国际标准，电磁抑制能力符合EN55022 Class B标准要求。本技术千兆SMT封装网络变压器设计最大载流能力850mA Max，单通道承载受电设备(PD)功率30WMax。附图说明图1是本技术千兆SMT封装网络变压器立体结构示意图；图2是本技术千兆SMT封装网络变压器的主视图；图3是本技术千兆SMT封装网络变压器的侧视图；图4是本技术千兆SMT封装网络变压器的电路原理图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面将结合具体实施例及附图对本技术的结构原理作进一步的详细描述如图1、图2、图3、图4所示，设计一种千兆SMT封装网络变压器，它包括底座1、上盖2、绕脚3、线圈4和电路板，所述的绕脚3穿插在底座1上，绕脚3的一端置于底座1外部作为PIN脚部分，底座1和上盖2通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚3连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。如图4所示，线圈T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8分别引出接线端1 40。本技术千兆SMT封装网络变压器具有以下电路设计特点号传输、阻抗匹配、 信号杂波抑制、高电压隔离、高功率PoE+Enable。Α、信号传输支持lO/lOO/lOOOBase-T传输速率，电性参数及性能符合 IEEE802. 3at国际标准，各通道可依不同的主板芯片定义为不同的功能(作为传输或接收通道)，它把PHY送出来的差分信号用差模耦合线圈耦合滤波以增强信号，并且通过电磁场的转换耦合到不同电平的连接网线的另外一端。B、阻抗匹配匹配客户主板IOOOhm的阻抗，可有效的控制ReturnLoss。C、共模信号杂波抑制产品磁性组件中增加共模抑制线圈，当差模信号通过共模线圈时在磁芯中产生相反的磁场而相互抵消，当共模信号通过线圈时在磁芯中产生相同方向的磁场而加强，它能使有用的差模信号几乎无损耗的通过，而对共模干扰信号呈现高阻抗，使其大量衰减，从而达到抑制共模EMI的目的，EMI抑制能力满足EN55022 Class B标准。D、高电压隔离产品磁性组件设计绝缘电压满足IEEE802. 3. 2002. PARA 40. 6. 1. LITEM a&b要求，隔离网线连接中不同网络设备间的不同电平，使芯片端与外部隔离，抗干扰能力大大增强，而且对芯片增加了很大的保护作用(如雷击)，以防止不同电压通过网线传输损坏设备，由此可对客户设备起到一定的防雷及抗冲击保护作用。E、高功率PoE+功能(专利保护点)产品设计采用通过与知名磁芯厂商YST公司的合作开发的高功率耐高偏流抗电流饱和磁芯，使产品电气性能与磁芯尺寸优化组合，从而把产品封装控制在克扣的范围内，磁芯可满足承载电流850mA的3% DC Bias (即25mA 偏流)条件下OCL 350uH Min，采用改良的生产工艺。产品符合IEEE802. 3at国际标准，具备PoE+/850mA供电功能，允许以太网在数据传输线上同时单通道可传送最大功率为30W直流电源。可使VoIP电话、Wi-Fi热点和安全监控摄像等受电设备(PD)省去额外供电。上述内容，仅为本技术的较佳实施例，并非用于限制本技术的实施方案， 本领域技术人员根据本技术的构思，所作出的适当变通或修改，都应在本技术的保护范围之内。权利要求1. 一种千兆SMT封装网络变压器，包括底座(1)、上盖(2)、绕脚(3)、定位插脚(4)、线圈和电路板，所述的绕脚⑶穿插在底座⑴上，绕脚⑶的一端置于底座⑴外部作为 PIN脚部分，底座(1)和上盖(2)通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚C3)连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，其特征是所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。专利摘要本技术公开了一种千兆SMT封装网络变压器，包括底座、上盖、绕脚、线圈和电路板，所述的绕脚穿插在底座上，绕脚的一端置于底座外部作为PIN脚部分，底座和上盖通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。本技术千兆SMT封装网络变压器具有体积小、高功率POE的优点。文档编号H01F27/28GK202167328SQ20112021870公开日2012年3月14日 申请日期2011年6月24日 优先权日2011年6月24日专利技术者刘朋朋, 张小东, 杨先进, 蔡文博 申请人:东莞市铭普实业有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种千兆ＳＭＴ封装网络变压器，包括底座（１）、上盖（２）、绕脚（３）、定位插脚（４）、线圈和电路板，所述的绕脚（３）穿插在底座（１）上，绕脚（３）的一端置于底座（１）外部作为ＰＩＮ脚部分，底座（１）和上盖（２）通过相互扣盒的结构连接，线圈的引出端分别与相应的绕脚（３）连接，所述的线圈和电路板分别设置在底座与上盖形成的空间里，其特征是：所述的线圈包括具有高功率耐高偏流抗电流饱和的磁芯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨先进，张小东，刘朋朋，蔡文博，
申请(专利权)人：东莞市铭普实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44