导电性基板及导电性基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种导电性基板及导电性基板的制造方法，所述导电性基板具有：透明基材；铜层，形成在所述透明基材的至少一个面侧；及黑化层，形成在所述透明基材的至少一个面侧。其中，所述黑化层含有氧、氮、镍及钨，所述黑化层是通过使用含有镍氧化物和钨氧化物并且所述钨氧化物的含有率为5质量％以上、30质量％以下的靶材进行的成膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种导电性基板及导电性基板的制造方法。
技术介绍
如专利文献1所述，现有技术中存在着一种触屏用透明导电性薄膜，其中在高分子薄膜上作为透明导电膜形成了ITO膜。另外，近年来带有触屏的显示器正在趋于大画面化，与此相应地，触屏用透明导电性薄膜等导电性基板也需要进行大面积化。然而，由于ITO的电阻值较高，所以存在着难以应对导电性基板大面积化的问题。为此，例如，如专利文献2、3所述，进行了以铜等金属箔来取代ITO膜的研究。但是，在将铜应用于配线层的情况下，由于铜具有金属光泽，所以存在着反射会导致显示器的视认性降低的问题。为此，提出了这样的一种导电性基板，即，其中除了形成由铜等金属箔所构成的配线层之外，还形成由黑色材料所构成的黑化层。然而，为了将其作为具有配线图案的导电性基板来使用，形成配线层和黑化层之后，需要对配线层和黑化层进行蚀刻以形成预期的图案，此时，存在着配线层和黑化层的相对于蚀刻液的反应性互不相同的问题。即，如果要对配线层和黑化层同时进行蚀刻，则存在着哪个层都无法蚀刻成预期形状的问题。另外，在采用不同步骤分别对配线层和黑化层进行蚀刻的情况下，则存在着步骤数增加的问题。现有技术文献专利文献1：日本特开2003－151358号公报专利文献2：日本特开2011－018194号公报专利文献3：日本特开2013－069261号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的一个目的在于，提供一种具有同时可被进行蚀刻处理的铜层和黑化层的导电性基板。用于解决课题的方法为了解决上述课题，根据本专利技术的一个实施方式，提供一种导电性基板，其具有：透明基材；铜层，形成在所述透明基材的至少一个面侧；及黑化层，形成在所述透明基材的至少一个面侧。其中，所述黑化层含有氧、氮、镍、及钨，所述黑化层是通过使用含有镍氧化物和钨氧化物且所述钨氧化物的含有率为5质量％以上、30质量％以下的靶材进行的成膜。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种具有同时可被进行蚀刻处理的铜层和黑化层的导电性基板。附图说明图1为本专利技术实施方式的导电性基板的截面图。图2为本专利技术实施方式的导电性基板的截面图。图3为本专利技术实施方式的具有网状配线的导电性基板的俯视图。图4为沿图3的A－A’线的截面图。符号说明10A、10B、20A、20B、30：导电性基板11、11A、11B：透明基材12、12A、12B：铜层13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B：黑化层31A、31B：配线具体实施方式以下对本专利技术的导电性基板及导电性基板的制造方法的一个实施方式进行说明。(导电性基板)本实施方式的导电性基板可被构成为具有：透明基材；在透明基材的至少一个面侧所形成的铜层；及在透明基材的至少一个面侧所形成的黑化层。黑化层可含有氧、氮、镍(nickel)及钨(tungsten)。另外，黑化层可通过使用含有镍氧化物和钨氧化物且钨氧化物的含有率为5质量％以上、30质量％以下的靶材进行成膜。这里需要说明的是，本实施方式的导电性基包括：在对铜层等进行图案化之前的透明基材的表面具有铜层和/或黑化层的基板；及对铜层等进行了图案化并将其加工成了配线形状的基板，即配线基板。这里首先对本实施方式的导电性基板所包含的各部件在以下进行说明。作为透明基材对其并无特别限定，可优选使用可视光能透过的绝缘体薄膜和/或玻璃基板等。作为可视光能透过的绝缘体薄膜，例如可优选使用聚酰胺(PA)类膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)类膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)类膜、环烯烃(cycloolefin)类膜及聚碳酸酯(PC)类膜等树脂薄膜等。对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板来使用时所需的强度和/或静电容量、光透过率等进行任意选择。接下来对铜层进行说明。对铜层也无特别限定，但为了不降低光透过率，最好不在铜层与透明基材之间或铜层与含有氧、氮、镍及钨的层(以下简称”黑化层”)之间设置粘合剂等。即，铜层优选为直接形成在其他部件上面。例如可在透明基材或黑化层上采用干式镀法形成铜薄膜层，并将该铜薄膜层作为铜层。据此，不使用粘合剂就可在透明基材或黑化层上直接形成铜层。另外，在铜层膜厚较厚的情况下，也可通过将该铜薄膜层作为供电层并采用湿式镀法来形成铜镀层的方式，以获得具有铜薄膜层和铜镀层的铜层。即，铜层可具有铜薄膜层和铜镀层。通过使铜层具有铜薄膜层和铜镀层，在此情况下也可不使用粘合剂就在在透明基材或黑化层上直接形成铜层。对铜层厚度并无特别限定，在将铜层作为配线来使用的情况下，可根据供给至该配线的电流大小和/或配线宽度等进行任意选择。特别地，为了能够提供足够的电流，铜层厚度优选为100nm以上，较佳为150nm以上。对铜层厚度的上限值并无特别限定，但铜层如果过厚，则用于形成配线而进行蚀刻时蚀刻所需的时间较长，会产生侧面蚀刻，导致出现蚀刻中途光阻(resist)剥离等问题。为此，铜层厚度优选为3μm以下，较佳为700nm以下，最好为200nm以下。这里需要说明的是，在铜层如上所述具有铜薄膜层和铜镀层的情况下，铜薄膜层厚度和铜镀层厚度的合计值优选位于上述范围内。接下来对黑化层进行说明。由于铜层具有金属光泽，所以如果仅在透明基材上形成对铜层进行了蚀刻而形成的配线，则如上所述铜会对光进行反射，在例如作为触屏用导电性基板来使用的情况下，存在着显示器视认性会下降的问题。尽管已经提出了设置黑化层的方法，然而由于存在着黑化层相对于蚀刻液的反应性不充分的情况，所以难以同时对铜层和黑化层进行蚀刻以获致预期的形状。为此，本专利技术的专利技术人进行了研究和探索并发现，由于含有氧、氮、镍及钨的层为黑色，所以其可作为黑化层来使用，另外，由于其也具有相对于蚀刻液的充分的反应性，所以还可与铜层同时被进行蚀刻处理。对作为含有氧、氮、镍及钨的层的黑化层的成膜方法并无特别限定，可采用任意方法进行成膜。然而，从可比较容易地对黑化层进行成膜的角度来看，优选采用溅射法进行成膜。黑化层可通过使用由镍氧化物和钨氧化物的混合物所制成的含有镍氧化物和钨氧化物的靶材并采用溅射法来进行成膜。采用溅射法对黑化层进行成膜时，可一边向腔体(chamber)内供给氧和氮或者仅供给氮以作为反应性气体，一边进行成膜。对供给至腔体内的氧和氮的供给比率并无特别限定，优选为一边向腔体内供给氧含有率为0体积以上、20体积％以下且氮含有率为30体积％以上、70体积％以下的气体，一边采用溅射法进行成膜。其理由为，通过使供给至腔体内的气体中的氧供给比率为20体积％以下，尤其可提高黑化层相对于蚀刻液的反应性，这样，对其和铜层一起进行蚀刻时，可容易地将铜层和黑化层蚀刻为预期的图案，为优选。这里需要说明的是，如上所述，由于黑化层成膜时所使用的含有镍氧化物和钨氧化物的靶材中不含氧，所以黑化层成膜时所供给至腔体内的氧供给比率优选为0体积％以上、10体积％以下。对黑化层进行成膜时通过向腔体内供给氮气，可容易地对成膜了的黑化层进行蚀刻，然而如果供给比率过大，则黑化层的黑色会变淡，存在着黑化层性能会变低的可能性。另外，如果氮气的供给比率过大，则还存在着靶材的溅射速度会变慢的可能性。为此，溅射时供给至腔体内的气体中的氮气供给比率优选为30体积％以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电性基板，具有：透明基材；铜层，形成在所述透明基材的至少一个面侧；及黑化层，形成在所述透明基材的至少一个面侧，其中，所述黑化层含有氧、氮、镍及钨，所述黑化层是通过使用含有镍氧化物和钨氧化物并且所述钨氧化物的含有率为5质量％以上且30质量％以下的靶材进行的成膜。

【技术特征摘要】
2015.06.04 JP 2015-1137721.一种导电性基板，具有：透明基材；铜层，形成在所述透明基材的至少一个面侧；及黑化层，形成在所述透明基材的至少一个面侧，其中，所述黑化层含有氧、氮、镍及钨，所述黑化层是通过使用含有镍氧化物和钨氧化物并且所述钨氧化物的含有率为5质量％以上且30质量％以下的靶材进行的成膜。2.如权利要求1所述的导电性基板，其中，所述黑化层的基于由X射线衍射所获得的衍射图案所确定的主相为氮化镍。3.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中，所述黑化层是通过一边向腔体内供给含有0体积％以上且20体积％以下的氧以及30体积％以上且70体积％以下的氮的气体一边采用溅射法进行的成膜。4.如权利要求1至3的任一项所述的导电性基板，其中，所述铜层的厚度为100nm以上，所述黑化层的厚度为20nm以上。5.如权利要求1至4的任一项所述的导电性基板，其中，波长为550nm的光的反射率为40％以下。6.如权利要求1至5的任一项所述的导电性基板，其中，具有网状配线。7.一种导电性基板的制造方法，具有：透明基材准备步骤，用于准备透明基材；铜层形成步...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤惠理子，渡边宏幸，
申请(专利权)人：住友金属矿山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP