触控屏及其制作方法、触控装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种触控屏及其制作方法、触控装置，属于触控技术领域。触控屏，包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层，所述触控屏还包括：形成在所述消影层上第一区域的增透图形，所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。本发明专利技术的技术方案能够提高触控屏特定区域的透过率，并且不会增加生产成本和工艺难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控
，特别是指一种触控屏及其制作方法、触控装置。
技术介绍
目前应用最广泛的触控屏为电容式触控屏，电容式触控屏支持多点触控功能，拥有更高的透光率、更低的整体功耗，其接触面硬度高，无需按压，使用寿命较长。触控屏透过率的高低直接影响触控屏的视觉效果，特别是应用触控屏的移动终端，对于前置摄像头孔处的透过率有着较高的要求。现有触控屏的触控电极大多采用ITO制作，为了消除触控电极图形区域与空白区域的视觉差异，在触控电极上覆盖一整层的高折射率材料(比如SiON)做为消影层。对于移动终端来说，前置摄像头孔处的高折射率材料与触控屏的衬底基板组合将起到增反作用，为了增加前置摄像头孔处的透光率，现有技术中一般是利用蚀刻膏刻蚀前置摄像头孔处的SiON，但刻蚀SiON将会产生过刻与残留风险，反而会降低前置摄像头孔处的透过率。另外，如果刻蚀后前置摄像头孔处的透过率达不到要求，还需要在前置摄像头孔处额外贴附AR(增透膜)来提高透光率，不但增加了触控屏的生产工序，还提高了触控屏的生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种触控屏及其制作方法、触控装置，能够提高触控屏特定区域的透过率，并且不会增加生产成本和工艺难度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种触控屏，包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层，所述触控屏还包括：形成在所述消影层上第一区域的增透图形，所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。进一步地，所述阈值为95％。进一步地，所述消影层的折射率不小于1.55，所述增透图形的折射率小于1.5。进一步地，所述消影层采用氮氧化硅，或五氧化二磷和二氧化硅的混合材料；所述增透图形采用二氧化硅，或氟化镁。进一步地，所述消影层的厚度为80-100nm。进一步地，所述增透图形的厚度d满足n*d＝(可见光波长/4)*(2k-1)，其中，k为正整数，n为增透图形的折射率。进一步地，k等于1。本专利技术实施例还提供了一种触控装置，包括如上所述的触控屏。进一步地，所述触控装置为移动终端，所述第一区域为移动终端前置摄像头在所述消影层上的正投影所在区域。本专利技术实施例还提供了一种触控屏的制作方法，包括：在衬底基板上形成触控电极；形成覆盖所述触控电极的消影层，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述消影层上第一区域形成增透图形，所述增透图形与所述消影层相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。进一步地，形成所述增透图形包括：利用光刻工艺在所述第一区域形成所述增透图形；或利用掩膜板镀膜工艺在所述第一区域形成所述增透图形。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，不用对消影层进行刻蚀，只在消影层的特定区域上形成增透图形，增透图形选用特定材料，与消影层和衬底基板相互配合能够使得特定区域的可见光透过率大于阈值，由于本专利技术的技术方案不需要对消影层进行刻蚀，因此不但减少了生产工序，降低了工艺难度，还避免了消影层过刻和残留的风险；另外由于本专利技术的技术方案不需要在消影层上贴附AR，因此，进一步降低了触控屏的生产成本。附图说明图1为本专利技术实施例触控装置的俯视示意图；图2为图1中A部分的截面示意图；图3为本专利技术实施例不同膜层结构透过率的曲线示意图；图4为本专利技术实施例不同膜层结构单面反射率的曲线示意图；图5为本专利技术实施例触控屏的截面示意图。附图标记1 衬底基板 2 消影层 3 增透图形 4 黑矩阵图形5 架桥 6 金属走线 7 绝缘层 8 触控电极具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中在移动终端前置摄像头孔处额外贴附AR来提高透光率，不但增加了触控屏的生产工序，还提高了触控屏的生产成本的问题，提供一种触控屏，能够提高触控屏特定区域的透过率，并且不会增加生产成本和工艺难度。本实施例提供了一种触控屏，包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层，所述触控屏还包括：形成在所述消影层上第一区域的增透图形，所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。本实施例中，不用对消影层进行刻蚀，只在消影层的特定区域上形成增透图形，增透图形选用特定材料，与消影层和衬底基板相互配合能够使得特定区域的可见光透过率大于阈值，由于本专利技术的技术方案不需要对消影层进行刻蚀，因此不但减少了生产工序，降低了工艺难度，还避免了消影层过刻和残留的风险；另外由于本专利技术的技术方案不需要在消影层上贴附AR，因此，进一步降低了触控屏的生产成本。进一步地，所述阈值为95％。增透图形与消影层相配合能够使得第一区域的可见光透过率大于95％。具体实施例中，消影层的折射率不小于1.55，增透图形的折射率小于1.5。具体实施例中，消影层采用氮氧化硅，或五氧化二磷和二氧化硅的混合材料；增透图形采用二氧化硅，或氟化镁。优选地，消影层的厚度为80-100nm，这样一方面使得消影层的厚度不太大，不会显著增加触控屏的厚度，另一方面还能够保证消除触控屏触控电极图形区域与空白区域的视觉差异。具体地，增透图形的厚度d满足n*d＝(可见光波长/4)*(2k-1)，其中，k为正整数，n为增透图形的折射率。在增透图形的厚度采用上述取值时，能够保证增透图形与消影层和衬底基板相互配合使第一区域的可见光透过率达到最大。优选地，k的值为1，这样可以使得增透图形的厚度尽可能小，降低触控屏的整体厚度并不影响触控屏的触感。实施例二本实施例提供了一种触控装置，包括如上所述的触控屏。该触控装置可以应用在人机交互设备中，比如移动终端、广告机、取款机等。进一步地，在所述触控装置为具有前置摄像头的移动终端时，第一区域具体为移动终端前置摄像头在消影层上的正投影所在区域。第一区域的增透图形选用特定材料，与消影层和衬底基板相互配合能够有效增加前置摄像头孔处的透光率，不影响前置摄像头进行图像采集。实施例三本实施例提供了一种触控屏的制作方法，包括：在衬底基板上形成触控电极；形成覆盖所述触控电极的消影层，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述消影层上第一区域形成增透图形，所述增透图形与所述消影层相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。本实施例中，不用对消影层进行刻蚀，只在消影层的特定区域上形成增透图形，增透图形选用特定材料，与消影层和衬底基板相互配合能够使得特定区域的可见光透过率大于阈值，由于本专利技术的技术方案不需要对消影层进行刻蚀，因此不但减少了生产工序，降低了工艺难度，还避免了消影层过刻和残留的风险；另外由于本专利技术的技术方案不需要在消影层上贴附AR，因此，进一步降低了触控屏的生产成本。进一步地，形成所述增透图形包括：利用光刻工艺在所述第一区域形成所述增透图形；或利用掩膜板镀膜工艺在所述第一区域形成所述增透图形。其中，利用光刻工艺在所述第一区域形成所述增透图形具体包括：在所述消影层上形成增透材料层；在所述增透材料层上涂覆一层光刻胶，利用第一掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后在所述第一区域保留有光刻胶，在所述第一区域之外未保留光刻胶；刻蚀掉第一区域之外的增透材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触控屏，包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层，其特征在于，所述触控屏还包括：形成在所述消影层上第一区域的增透图形，所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。

【技术特征摘要】
1.一种触控屏，包括形成在衬底基板上的触控电极和覆盖所述触控电极的消影层，其特征在于，所述触控屏还包括：形成在所述消影层上第一区域的增透图形，所述增透图形与所述消影层和所述衬底基板相配合能够使得所述第一区域的可见光透过率大于阈值。2.根据权利要求1所述的触控屏，其特征在于，所述阈值为95％。3.根据权利要求1所述的触控屏，其特征在于，所述消影层的折射率不小于1.55，所述增透图形的折射率小于1.5。4.根据权利要求3所述的触控屏，其特征在于，所述消影层采用氮氧化硅，或五氧化二磷和二氧化硅的混合材料；所述增透图形采用二氧化硅，或氟化镁。5.根据权利要求1-4中任一项所述的触控屏，其特征在于，所述消影层的厚度为80-100nm。6.根据权利要求1-4中任一项所述的触控屏，其特征在于，所述增透图形的厚度d满足n*d＝(可见光波长/4...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐佳伟，李保然，李佑路，张雷，郭总杰，胡明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11