【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法。
技术介绍
在液晶面板制作工艺中，为支撑面板和实现盒厚的均一性，会在面板内设置隔垫物(Photo Spacer，即PS)，此隔垫物一般直接制作在彩色滤光片上，当两基板对组时隔垫物的上底面直接接触阵列基板，组立完成后隔垫物被压缩，有一定的压缩量。在高温条件下，由于液晶膨胀系数大于隔垫物，盒厚变大，隔垫物压缩量变小，容易导致竖直放置的液晶显示面板中液晶由于重力作用而整体向下流动，形成高温下重力显示不均(gravity mura)缺陷。另一方面在低温下，液晶收缩，盒厚变小，隔垫物压缩量变大，当隔垫物无法再压缩时，液晶无法填充整个液晶盒组件，出现低温真空气泡(Bubble)缺陷。这些缺陷限制了液晶面板的使用条件，影响显示品质。在液晶工艺制作过程中，不发生高温重力显示不均和低温气泡允许的液晶量使用范围(LiquidCrystal Margin，LC margin)。而隔垫物的压缩量是影响LC margin的重要因素。薄膜晶体管液晶显示器的制程过程中，需要对其中的薄膜晶体管进行沟道蚀刻制程，图1是...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极；在形成该源极和该漏极后，去除该源极和该漏极上剩余的第一光阻层，其中该源极和该漏极相互间隔并形成有开口，该掺杂半导体层从该源极和该漏极之间通过该开口露出；在该源极和该漏极上涂覆第二光阻层，该第二光阻层同时覆盖该栅极绝缘层、该源极、该漏极以及从该源极和该漏极之间露出的该掺杂半导体层；对该第二光阻层进行曝光、显影，去除位于该源极和该漏极之间的覆盖在该掺杂半导体上的该第二光阻层；对露出的该掺杂半导体进行蚀刻，以断开该掺杂半导体层并形成相互...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极；在形成该源极和该漏极后，去除该源极和该漏极上剩余的第一光阻层，其中该源极和该漏极相互间隔并形成有开口，该掺杂半导体层从该源极和该漏极之间通过该开口露出；在该源极和该漏极上涂覆第二光阻层，该第二光阻层同时覆盖该栅极绝缘层、该源极、该漏极以及从该源极和该漏极之间露出的该掺杂半导体层；对该第二光阻层进行曝光、显影，去除位于该源极和该漏极之间的覆盖在该掺杂半导体上的该第二光阻层；对露出的该掺杂半导体进行蚀刻，以断开该掺杂半导体层并形成相互间隔的两个部分，其中该源极与该掺杂半导体层的其中一部分电性连接，该漏极与该掺杂半导体层的另一部分电性连接；去除覆盖在该栅极绝缘层、该源极和该漏极上剩余的该第二光阻层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极时，具体采用如下步骤：在该衬底上沉积形成第一金属层；采用一道光罩制程对该第一金属层进行蚀刻图形化以形成该栅极；在该衬底上沉积形成该栅极绝缘层，该栅极绝缘层覆盖该栅极；在该栅极绝缘层上依次沉积形成半导体材料层和掺杂半导体材料层；采用一道光罩制程对该半导体材料层和该掺杂半导体材料层进行蚀刻图形化以分别形成该半导体层和该掺杂半导体层；在该掺杂半导体层上沉积形成该第二金属层；以及采用一道光罩制程对该第二金属层进行蚀刻图形化以形成该源极和该漏极。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极时，具体采用如下步骤：在该衬底上沉积形成第一金属层；采用一道光罩制程对该第一金属层进行蚀刻图形化以形成该栅极；在该衬底上沉积形成该栅极绝缘层，该栅极绝缘层覆盖该栅极；在该栅极绝缘层上依次沉积形成半导体材料层、掺杂半导体材料层和第二金属层；采用一道光罩制程对该半导体材料层、该掺杂半导体材料层和该第二金属层进行蚀刻图形化以分别形成该半导体层、该掺杂半导体层和该源极及该漏极，其中在该道光罩制程中，所采用的光罩为半色调光罩，该半色调光罩在对应于薄膜晶体管的沟道位置处形成为半透射膜。4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽玉，江雪梅，王新刚，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。