阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；在形成有栅绝缘层的衬底基板上依次形成有源层薄膜和阻挡层薄膜；通过一次构图工艺对有源层薄膜和阻挡层薄膜进行处理，形成有源层和阻挡层。本发明专利技术通过将有源层与阻挡层采用一次构图工艺形成，减少了mask的使用次数，提升了产能，且通过灰化工艺形成有源层的台阶形状，使得有源层与源极和漏极通过台阶结构紧密搭接，减少了有源层与源极和漏极搭接的不良。本发明专利技术用于阵列基板的制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，诸如液晶显示器(英文：LiquidCrystalDisplay；简称：LCD)等显示装置广泛应用于显示领域。LCD通常包括阵列基板，阵列基板包括衬底基板以及依次形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极金属层、钝化层和像素电极。其中，有源层通过一次构图工艺形成，在形成源漏极金属层时，可以先在形成有有源层的衬底基板上形成金属材质层，然后通过一次构图工艺对该金属材质层进行处理形成源漏极金属层，在通过一次构图工艺对金属材质层进行处理的过程中，需要对该金属材质层进行刻蚀。相关技术中，为了避免刻蚀过程损伤有源层，在形成源漏极金属层之前，可以通过一次构图工艺在有源层上形成阻挡层对有源层进行保护，然后在形成阻挡层的衬底基板上形成源漏极金属层。但是，由于相关技术通过一次构图工艺形成阻挡层(也即是，有源层和阻挡层分别通过一次构图工艺形成)，因此阵列基板的制造过程额外增加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成有源层薄膜和阻挡层薄膜；通过一次构图工艺对所述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处理，形成有源层和阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上依次形成栅极和栅绝缘层；
在形成有所述栅绝缘层的衬底基板上依次形成有源层薄膜和阻挡层薄膜；
通过一次构图工艺对所述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处理，形成有
源层和阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺对所
述有源层薄膜和所述阻挡层薄膜进行处理，形成有源层和阻挡层，包括：
在形成有所述阻挡层薄膜的衬底基板上形成光刻胶层；
对形成有所述光刻胶层的衬底基板依次进行曝光、显影、刻蚀，形成依次
叠加的有源层、阻挡层图形和光刻胶图形，所述有源层、所述阻挡层图形和所
述光刻胶图形的形状相同；
对所述光刻胶图形进行灰化处理，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区域；
对所述待刻蚀区域进行刻蚀，形成所述阻挡层，露出所述有源层上用于与
待形成的源极和漏极搭接的台阶结构的台阶面；
剥离所述光刻胶层上剩余的光刻胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述对所述光刻胶图形进行灰化处理，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区域，
包括：
采用至少两种气体，在预设灰化功率、预设气体压力、预设灰化速率下，
对所述光刻胶图形灰化预设时长，露出所述阻挡层图形的待刻蚀区域。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述至少两种气体包括：氧气和六氟化硫气体。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述预设灰化功率的取值范围为：4500瓦特～5500瓦特。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述预设气体压力的取值范围为：150毫托～200毫托。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述预设灰化速率为：140埃每秒。
8.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宗民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11