半导体装置的制造方法及接合组装装置制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造方法及其使用的接合组装装置。本专利技术特别涉及能够制造具有比以往高品质且可靠性高的焊锡接合层的半导体装置的半导体装置的制造方法以及该方法所使用的、维护性优异的接合组装装置。
技术介绍
以往，作为制造电力用半导体装置的方法，主要实施了以下三个方法。在第一方法中，首先使用还原气氛的连续炉(管道炉)，进行预先沾锡(日文：予備はんだ)，在硅片的背面电极上设置焊锡。接着，借助该焊锡在绝缘基板上锡焊硅片。之后，进行引线接合。然后，在大气中使用焊剂(flux)将在绝缘基板上锡焊了硅片后的构件焊接在由铜等形成的金属基座上。在第二方法中，使用还原气氛的连续炉，锡焊硅片和绝缘基板。之后，进行引线接合。然后，使用还原气氛的连续炉将在绝缘基板上锡焊了硅片后的构件锡焊在金属基座上。在第三方法中，使用非活性气氛的减压炉，利用加入了焊剂的焊锡对硅片、绝缘基板以及金属基座进行锡焊。之后，进行引线接合。可是，在电源组件等电力用半导体装置中，由于流有大电流，因此硅片...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置的制造方法包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和至少一个焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，在所述准备工序之后，对所述减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，在所述一次减压工序之后，使所述减压炉内成为低压的氢气氛，对与所述减压炉之间隔着能够开闭的分隔壁地设置于所述减压炉外的金属线进行加热，或者对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能够开闭的分隔壁地设置于所述减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在所述热射线式加热工序之后，在将所述金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自所述减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，在所述隔离...

【技术特征摘要】
2014.12.03 JP 2014-2447831.一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置的制造方法包括：
准备工序，将包含至少一个被接合构件和至少一个焊锡材料的层叠体投
入减压炉内；
一次减压工序，在所述准备工序之后，对所述减压炉内进行真空排气；
热射线式加热工序，在所述一次减压工序之后，使所述减压炉内成为低
压的氢气氛，对与所述减压炉之间隔着能够开闭的分隔壁地设置于所述减压
炉外的金属线进行加热，或者对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能够开
闭的分隔壁地设置于所述减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；
隔离工序，在所述热射线式加热工序之后，在将所述金属线保持在低压
气氛下的状态下，利用所述分隔壁自所述减压炉内气氛隔离开所述金属线；
加热工序，在所述隔离工序之后，使所述减压炉内成为正压的氢气氛，
加热至接合温度而使所述焊锡材料熔融；以及
气泡去除工序，在所述加热工序之后，在保持为接合温度的状态下使所
述减压炉内再次成为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述热射线式加热工序之前，所述金属线被保持在低压气氛下，并自
所述减压炉内气氛隔离开。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述热射线式加热工序中，将金属线加热到1500℃～2000℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述热射线式加热工序中的所述低压的氢气氛是1Pa～500Pa的氢气氛。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述气泡去除工序中，实施一次以上的热射线式加热工序，在该热射
线式加热工...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤俊介，渡边裕彦，大西一永，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP