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本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该制作方法包括步骤：在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极；在形成源极和漏极后，去除源极和漏极上剩余的第一光阻层并相互间隔形成有开口，掺杂半导体层通过开口...
该专利属于昆山龙腾光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山龙腾光电有限公司授权不得商用。

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