一种具有防反接保护集成电路的ESD制造技术

技术编号:12946184 阅读:74 留言:0更新日期:2016-03-02 03:47
本实用新型专利技术公开了一种具有防反接保护集成电路的ESD,包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。实现电池防反接保护及ESD保护同时提供芯片的可靠性保障。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种具有防反接保护集成电路的ESD,包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。实现电池防反接保护及ESD保护同时提供芯片的可靠性保障。【专利说明】一种具有防反接保护集成电路的ESD
本技术涉及集成电路,具体涉及一种具有防反接保护集成电路的ESD。
技术介绍
在充电管理类集成电路中,由于输出端有锂电池,因此应用工程师都要求这类芯片能实现两个保护:电池反接保护和输入输出防反灌保护。电池防反接保护是要求当电池的正负极与芯片的输出端反接时,芯片端口不会被烧坏,同时电池不会被抽走大量电荷。输入输出防反灌保护是在电池接入充电管理芯片端口后,输入端口撤掉,保证电流不会向芯片的输入端流入。输入输出反灌保护很好实现,但电池反接保护由于ESD 二极管的存在,很难实现。因此目前市场上的充电管理IC都没有考虑电池反接保护。客户需要做反接保护的话,都需要通过增加外围电路来实现。
技术实现思路
本技术针对现有技术中的不足,提供一种具有防反接保护集成电路的ESD。 本技术是通过以下的技术方案实现的:一种具有防反接保护集成电路的ESD,包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。 与现有技术相比,本技术降低了成本,轻松实现电池防反接保护及ESD保护同时提供芯片的可靠性保障。在客户大批量生产,特别是人工焊接电池时,大大降低了芯片的损坏概率,提闻了整机的生广效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的结构示意图; 图2为本技术ESD等效回路。 【具体实施方式】 下面结合具体实施例对本技术作进一步说明。 如图1、图2所示,一种具有防反接保护集成电路的ESD,包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。 当电池在BAT与GND之间反接时,通过比较器2进行负压检测,检测电池的极性。比较器控制功率PMOS的栅,关闭充电回路。同时由于ESD 二极管是通过防反灌电路的开关计入VBAT端口,在电池反接时的等效电路:串联了一个背靠背的寄生体二极管,彻底阻值ESD 二极管的漏电。电路在ESD防护的性能没有受到影响,当VBAT对GND打高压时,寄生二极管的压降为0.7V,相当于在以前的高压基础上提高0.7V,做到正向保护。当VBAT对GND打负压时,同样的原理,ESD 二极管的正向压降为0.7V,通过寄生的体二极管,起到反向保护作用。 以上所述仅为体现本技术原理的较佳实施例,并不因此而限定本技术的保护范围,凡是依本技术所作的均等变化与修饰皆在本技术涵盖的专利范围之内。【权利要求】1.一种具有防反接保护集成电路的ESD,其特征在于:包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。【文档编号】H02H9/04GK204046156SQ201420410018【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日 【专利技术者】吴国平, 刘桂芝, 付强, 黄年亚 申请人:无锡麟力科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有防反接保护集成电路的ESD,其特征在于:包括比较器2,二极管D2,电阻R3及内部本身就具有的输入输出防反灌电路的部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴国平刘桂芝付强黄年亚
申请(专利权)人:无锡麟力科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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