一种限流保护电路制造技术

技术编号:8898533 阅读:161 留言:0更新日期:2013-07-09 01:29
本实用新型专利技术公开了一种限流保护电路,包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路;所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接;所述反馈电路的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路的一端与功率MOSFET管连接,另一端与输出负载连接。本实用新型专利技术结构简单、使用方便、具有电流限制、栅极保护、低压降的优点。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种保护电路,特别涉及一种限流保护电路
技术介绍
鉴于电源电路存在一些不稳定因素,而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。目前,限流保护电路被广泛应用于开关电源中,通常都是使用将光耦直接接到PWM芯片反馈脚,电源限流保护时减小占空比的电路来保护电源;该电路造成限流保护时电源输入功率较大。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单、使用方便、具有电流限制、栅极保护以及低压降的一种限流保护电路。为达到上述目的,本技术的技术方案如下:一种限流保护电路,包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路;所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接;所述反馈电路的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路的一端与功率MOSFET管连接,另一端与输出负载连接。在本技术的一个实施例中,所述保护电路为电流保护电路。通过上述技术方案,本技术的有益效果是:本技术功率MOSFET管工作在线性区,利用电压反馈控制电流,其具有电流限制、栅极保护、低压降等优点。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术原理图。图中数字和字母所表示的相应部件名称:10、功率MOSFET管20、反馈电路30、保护电路。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本技术。参见图1所示,本技术一种限流保护电路包括功率MOSFET管10、反馈电路20以及保护电路30 ;功率MOSFET管10的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管10的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管10的栅极与反馈电路的输出端连接;反馈电路20的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路30的一端与功率MOSFET管10连接,另一端与输出负载连接。本技术保护电路为电流保护电路。本技术功率MOSFET管工作在线性区,其利用电压反馈控制电流。本技术反馈电路与功率MOSFET管的栅极连接,保护负载在开机瞬间或其它原因出现短时高压尖峰脉冲通过反馈电路对功率MOSFET管栅极的冲击。本技术在使用时,当电流增加时,反馈电压增加,流过功率MOSFET管的电流下降,最后会平衡在某个电流值,当负载电流超过这个值时,功率MOSFET管关断;整个电路供给负载电流工作时,由电路本身造成的电压下降很小。本技术具有电流限制、低压降、栅极保护功能。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.一种限流保护电路,其特征在于:包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路;所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接;所述反馈电路的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路的一端与功率MOSFET管连接,另一端与输出负载连接。2.根据权利要求1所述的一种限流保护电路,其特征在于:所述保护电路为电流保护电路。专利摘要本技术公开了一种限流保护电路,包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路;所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接;所述反馈电路的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路的一端与功率MOSFET管连接,另一端与输出负载连接。本技术结构简单、使用方便、具有电流限制、栅极保护、低压降的优点。文档编号H02H7/12GK203039353SQ20122074807公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月29日 优先权日2012年12月29日专利技术者顾康, 张亿宾 申请人:上海澳华光电内窥镜有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种限流保护电路,其特征在于:包括功率MOSFET管、反馈电路以及保护电路;所述功率MOSFET管的源级与电源输入端连接,功率MOSFET管的漏极与输出负载连接,功率MOSFET管的栅极与反馈电路的输出端连接;所述反馈电路的一端与电源输入端连接,另一端与输出负载连接;保护电路的一端与功率MOSFET管连接,另一端与输出负载连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:顾康张亿宾
申请(专利权)人:上海澳华光电内窥镜有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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