多晶硅显示基板及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种多晶硅显示基板及其制造方法。多晶硅显示基板的制造方法包含：提供基材，其具有主动元件区及电容区；形成多晶硅层于主动元件区上；形成绝缘层覆盖多晶硅层；形成第一导电层于绝缘层上，第一导电层包含栅极位于主动元件区以及下电极位于电容区；在多晶硅层中形成第一重掺杂区以及第二重掺杂区；形成介电层覆盖第一导电层；图案化介电层及绝缘层；形成第二导电层于介电层上，第二导电层包含第一源极电极、第一漏极电极以及上电极，上电极与下电极形成储存电容；形成保护层于第二导电层上；以及形成像素电极于保护层上。本发明专利技术揭露的制造方法能够减少制造低温多晶硅基板所须的微影蚀刻制程的次数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种多晶硅显示基板以及一种制造多晶硅显示基板的方法。
技术介绍
低温多晶娃(Lowtemperature Polycrystalline Silicon, LTPS)是一种新的显示器制造技术，相较于传统非晶硅液晶显示器，低温多晶硅晶体管的载子迁移率是非晶硅晶体管的载子迁移率的一百倍，因此使用低温多晶硅所制成的显示器的反应速度极佳。另一方面，在制造低温多晶硅面板时，能够同时制造面板的驱动电路，所以低温多晶硅显示器不须要额外设置驱动芯片。因此，低温多晶硅显示器不但具有极佳的元件反应速度，也同时具备制造成本的优势。一般而言，低温多晶硅利用准分子激光作为热源，利用激光光束照射非结晶的硅层，而将非晶硅转变为多晶硅，整个处理过程可以在低于600°C的温度下完成。不过，相较于非晶硅液晶显示器，低温多晶硅显示器的制造工艺复杂，需要较多的微影蚀刻步骤，这导致较高的制造成本。因此，目前亟需一种改良的制造方法，以能减少制造低温多晶硅显示器所须的微影蚀刻步骤。
技术实现思路
本专利技术的一方面是提供一种多晶硅显示基板的制造方法，此多晶硅显示基板可作为低温多晶硅显示器的主动阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅显示基板，其特征在于，包含：一基材，包含至少一像素区以及一驱动电路区，该像素区具有一主动元件区以及一电容区：一第一多晶硅层，位于该基材的该主动元件区上，且包含一源极区、一漏极区以及一通道区，该通道区位于该源极区与该漏极区之间；一第一绝缘层，覆盖一部分的该第一多晶硅层，并露出该第一多晶硅层的该源极区和该漏极区；一第一导电层，配置在该第一绝缘层上，且包含一第一栅极以及一下电极，该第一栅极位于该主动元件区，该下电极位于该电容区；一第一介电层，覆盖该第一栅极以及该下电极，并露出该第一多晶硅层的该源极区和该漏极区；一第二导电层，设置在该第一介电层的一上表面，且包含一第一源极电极、一第一漏极电极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇新，谭莉，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31