【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种薄膜晶体管基板的结构，且特别是指一种应用于显示面板的薄膜 晶体管基板。
技术介绍
目前常见的薄膜晶体管显示器（Thin film transistor display)包括主动元件 基板。主动元件基板是将薄膜晶体管设置于基板上。 当施加于薄膜晶体管的电压由低至高时的电流变化曲线与电压由高至低时的电 流变化曲线不重合时，即为迟滞现象（Hysteresis)。薄膜晶体管的迟滞现象将会造成显示 面板在相同的灰阶信号下会产生不同的亮度，因此，将使得显示面板出现闪烁或是残影。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管，其所形成的第一保护层W及第二保护层能改 善薄膜晶体管的迟滞现象。 本专利技术其中一实施例所提供的一种薄膜晶体管基板，其包括基板、栅极电极、栅极 绝缘层、半导体层、源/漏极电极、第一保护层、第二保护层W及交界区。栅极电极配置于基 板上，栅极绝缘层配置于栅极电极上。半导体层位于栅极绝缘层上。第一保护层配置于金 属氧化物半导体层上，且具有第一氧空位浓度，第二保护层配置于第一保护层上，且具有第 二氧空位浓度。交界区，形成于第一...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板包括：一基板；一栅极电极，配置于所述基板上；一半导体层，与所述栅极电极电性绝缘；一源/漏极电极，与所述半导体层电性连接；一第一保护层，配置于所述半导体层上，具有一第一氧空位浓度；一第二保护层，配置于所述第一保护层上，具有一第二氧空位浓度；以及一交界区，位于所述第一保护层与所述第二保护层之间，具有一第三氧空位浓度，其中，所述第三氧空位浓度大于所述第一氧空位浓度且大于所述第二氧空位浓度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，蒋国璋，颜子旻，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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